[发明专利]一种蒸镀用硅预熔方法

权利要求书

1.一种蒸镀用硅预熔方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)将坩埚表面进行打磨，打磨后用去离子水进行冲洗，冲洗后用无水乙醇清洗；

b)将坩埚用氮气吹干；

c)初熔操作：

c-1)在坩埚中放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；

c-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；

c-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-30分钟；

c-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并保持10-30分钟；

c-5) 降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的1/2并10-30分钟；

c-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；

d)复熔操作：

d-1)在坩埚中再放入1/3坩埚容积的单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持5-25分钟；

d-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；

d-3)增加电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持20-40分钟；

d-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；

d-5)降低电子束功率，使电子束扫描面积与坩埚底部面积相等并保持10-30分钟；

d-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空；

e)终熔操作：

e-1) 在坩埚中填满单晶硅块，抽真空，打开电子束，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持5-25分钟；

e-2)增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；

e-3) 增加电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持20-60分钟；

e-4)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；

e-5)降低电子束功率，使电子束扫描面积为坩埚底部面积的2/3并保持10-30分钟；

e-6)降低电子束功率为0Kw，冷却20-60分钟后破真空。

2.根据权利要求1所述的蒸镀用硅预熔方法，其特征在于：还包括在步骤b)后将坩埚放入烘箱中在200℃的温度下烘烤60分钟的步骤。

3.根据权利要求1所述的蒸镀用硅预熔方法，其特征在于：步骤c-1)中抽真空时的真空度为Torr-Torr，电子束功率为10Kw，保持时间为5分钟，步骤c-2)中电子束功率为15Kw，保持时间为10分钟，步骤c-3)中电子束功率为20Kw，保持时间为10分钟，步骤c-4)中电子束功率为15Kw，保持时间为10分钟，步骤c-5)中电子束功率为10Kw，保持时间为10分钟，步骤c-6)中冷却时间为20分钟。

4.根据权利要求1所述的蒸镀用硅预熔方法，其特征在于：步骤d-1)中抽真空时的真空度为Torr-Torr，电子束功率为10Kw，保持时间为5分钟，步骤d-2)中电子束功率为20Kw，保持时间为10分钟，步骤d-3)中电子束功率为30Kw，保持时间为10分钟，步骤d-4)中电子束功率为20Kw，保持时间为10分钟，步骤d-5)中电子束功率为10Kw，保持时间为10分钟，步骤d-6)中冷却时间为20分钟。

5.根据权利要求1所述的蒸镀用硅预熔方法，其特征在于：步骤e-1)中抽真空时的真空度为Torr-Torr，电子束功率为10Kw，保持时间为5分钟，步骤e-2)中电子束功率为30Kw，保持时间为10分钟，步骤e-3)中电子束功率为50Kw，保持时间为10分钟，步骤e-4)中电子束功率为30Kw，保持时间为10分钟，步骤e-5)中电子束功率为10Kw，保持时间为10分钟，步骤e-6)中冷却时间为20分钟。