[发明专利]一种逻辑门电路

权利要求书

1.一种逻辑门电路，其特征在于，包括：上拉电路和下拉电路；

所述上拉电路包括并联的N个P型第一类场效应晶体管，其中，所述N个P型第一类场效应晶体管的源极电连接并且所述N个P型第一类场效应晶体管的源极与电源端电连接，所述N个P型第一类场效应晶体管的漏极电连接；所述下拉电路包括串联的N个N型第二类场效应晶体管，所述N个N型第二类场效应晶体管的相邻的两个第二类场效应晶体管中，其中一个第二类场效应晶体管的源极与另一个第二类场效应晶体管的漏极电连接；所述下拉电路的两端中为漏极的一端与所述N个P型第一类场效应晶体管的漏极电连接，所述下拉电路的两端中为源极的一端与地端电连接；所述第一类场效应晶体管包括隧穿场效应晶体管，所述第二类场效应晶体管包括金属-氧化物-半导体场效应晶体管或者鳍式场效应晶体管；N大于1；

其中，所述N个P型第一类场效应晶体管的栅极与所述N个N型第二类场效应晶体管的栅极一一电连接，并作为所述逻辑门电路的N个输入端，所述N个P型第一类场效应晶体管的漏极作为所述逻辑门电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的逻辑门电路，其特征在于，所述上拉电路包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管为P型第一类场效应晶体管；所述下拉电路包括第三场效应晶体管和第四场效应晶体管，其中所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管为N型第二类场效应晶体管；

所述第一场效应晶体管的源极和所述第二场效应晶体管的源极电连接并与所述电源端电连接，所述第一场效应晶体管的漏极和所述第二场效应晶体管的漏极电连接并与所述第三场效应晶体管的漏极电连接，所述第三场效应晶体管的源极与所述第四场效应晶体管的漏极电连接，所述第四场效应晶体管的源极与所述地端电连接；

所述第一场效应晶体管的栅极和所述第三场效应晶体管的栅极电连接，并作为所述逻辑门电路的第一输入端，所述第二场效应晶体管的栅极和所述第四场效应晶体管的栅极电连接，并作为所述逻辑门电路的第二输入端，所述第一场效应晶体管的漏极和所述第二场效应晶体管的漏极作为所述逻辑门电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的逻辑门电路，其特征在于，所述上拉电路包括第五场效应晶体管、第六场效应晶体管和第七场效应晶体管，其中所述第五场效应晶体管、所述第六场效应晶体管和所述第七场效应晶体管为P型第一类场效应晶体管；所述下拉电路包括第八场效应晶体管、第九场效应晶体管和第十场效应晶体管，其中所述第八场效应晶体管、所述第九场效应晶体管和所述第十场效应晶体管为N型第二类场效应晶体管；

所述第五场效应晶体管的源极、所述第六场效应晶体管的源极和所述第七场效应晶体管的源极电连接并与所述电源端电连接，所述第五场效应晶体管的漏极、所述第六场效应晶体管的漏极和所述第七场效应晶体管的漏极电连接并与所述第八场效应晶体管的漏极电连接，所述第八场效应晶体管的源极与所述第九场效应晶体管的漏极电连接，所述第九场效应晶体管的源极与所述第十场效应晶体管的漏极电连接，所述第十场效应晶体管的源极与地端电连接；

所述第五场效应晶体管的栅极和所述第八场效应晶体管的栅极电连接，并作为所述逻辑门电路的第一输入端，所述第六场效应晶体管的栅极和所述第九场效应晶体管的栅极电连接，并作为所述逻辑门电路的第二输入端，所述第七场效应晶体管的栅极和所述第十场效应晶体管的栅极电连接，并作为所述逻辑门电路的第三输入端，所述第五场效应晶体管的漏极、所述第六场效应晶体管的漏极和所述第七场效应晶体管的漏极作为所述逻辑门电路的输出端。

4.根据权利要求1至3任一项所述的逻辑门电路，其特征在于，

当所述N个输入端中至少一个输入端的输入信号为低电平信号时，所述N个P型第一类场效应晶体管中至少一个第一类场效应晶体管导通，所述N个N型第二类场效应晶体管中至少一个第二类场效应晶体管断开，所述输出端的输出信号为高电平信号；

当所述N个输入端中所有输入端的输入信号为高电平信号时，所述N个P型第一类场效应晶体管全部断开，所述N个N型第二类场效应晶体管全部导通，所述输出端的输出信号为低电平信号。