[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 201810557336.6 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN108987387B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 陈昱宇 | 申请(专利权)人: | 立积电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人: | 刘民选 |
地址: | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
1.一种静电放电保护装置,包含:
一分压电路,耦接于一第一系统电压端以接收一第一电压,并耦接于一第二系统电压端以接收一第二电压,该分压电路用来提供介于该第一电压及该第二电压之间的至少一电压;
一第一电阻,具有一第一端耦接于该第一系统电压端,及一第二端;
一电容,具有一第一端耦接于该第一电阻的该第二端,及一第二端;
一第一主晶体管,具有一第一端耦接于该第一系统电压端,一第二端,及一控制端;
一第二主晶体管,具有一第一端耦接于该第一主晶体管的该第二端,一第二端耦接于该第二系统电压端,及一控制端;
一第一控制电路,用来当一静电放电事件发生时,导通该第一主晶体管,该第一控制电路包含:
一第一端,耦接于该第一系统电压端;
一输入端,耦接于该第一电阻的该第二端;
一第二端,耦接于该分压电路以接收介于该第一电压及该第二电压之间的一第三电压;及
一输出端,耦接于该第一主晶体管的该控制端以控制该第一主晶体管;及
一第二控制电路,用来当该静电放电事件发生时,导通该第二主晶体管,该第二控制电路包含:
一第一端,耦接于该第一控制电路的该输出端;
一输入端,耦接于该分压电路以接收该第三电压或介于该第一电压及该第二电压之间的一第四电压;
一第二端,耦接于该第二系统电压端;及
一输出端,耦接于该第二主晶体管的该控制端以控制该第二主晶体管。
2.如权利要求1所述的静电放电保护装置,其特征在于,该第一控制电路还包含:
一第一P型晶体管,具有一第一端耦接于该第一控制电路的该第一端,一第二端耦接于该第一控制电路的该输出端,及一控制端耦接于该第一控制电路的该输入端;及
一第一N型晶体管,具有一第一端耦接于该第一P型晶体管的该第二端,一第二端耦接于该第一控制电路的该第二端,及一控制端耦接于该第一控制电路的该输入端;
其中,该第一N型晶体管是设置于一N型深阱,且该N型深阱耦接至该第一控制电路的该第一端。
3.如权利要求2所述的静电放电保护装置,其特征在于,
该第一P型晶体管的一沟道长度小于该第一N型晶体管的一沟道长度;及
该第一P型晶体管的一沟道宽度大于该第一N型晶体管的一沟道宽度。
4.如权利要求2所述的静电放电保护装置,其特征在于,该第一控制电路还包含:
一第二电阻,耦接于该第一N型晶体管的该第一端及该第一控制电路的该输出端之间。
5.如权利要求1所述的静电放电保护装置,其特征在于,该第一控制电路还包含:
复数个第一P型晶体管,每一第一P型晶体管具有一第一端耦接于该第一控制电路的该第一端,一第二端耦接于该第一控制电路的该输出端,及一控制端耦接于该第一控制电路的该输入端;及
复数个第一N型晶体管,串联于该第一控制电路的该输出端及该第一控制电路的该第二端之间,且该些第一N型晶体管的复数个控制端耦接于该第一控制电路的该输入端。
6.如权利要求1所述的静电放电保护装置,其特征在于,该第二控制电路还包含:
一第二P型晶体管,具有一第一端耦接于该第二控制电路的该第一端,一第二端耦接于该第二控制电路的该输出端,及一控制端耦接于该第二控制电路的该输入端;及
一第二N型晶体管,具有一第一端耦接于该第二控制电路的该输出端,一第二端耦接于该第二控制电路的该第二端,及一控制端耦接于该第二控制电路的该输入端。
7.如权利要求6所述的静电放电保护装置,其特征在于,该第二控制电路还包含:一第三电阻,耦接于该第二N型晶体管的该第一端及该第二控制电路的该输出端之间。
8.如权利要求6所述的静电放电保护装置,其特征在于,该第二P型晶体管的一沟道长度小于该第二N型晶体管的一沟道长度;及
该第二P型晶体管的一沟道宽度大于该第二N型晶体管的一沟道宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的