[发明专利]芯片封装方法

说明书

本发明涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种芯片封装方法，包括以下步骤：将待封装晶圆和载片键合，其中，载片中具有若干凹槽，凹槽与晶圆形成容置空腔；对晶圆进行减薄；沿各凹槽周边的支撑部对减薄后的晶圆进行切割，得到若干芯片，其中，切割宽度大于等于支撑部的宽度。由于载片与待封装晶圆之间是通过载片上的支撑部键合，后续切割时，切割宽度大于等于支撑部宽度，即切割时即可将载片支撑部一并切割掉，省去了解键合工艺，由此可避免现有技术中解键合时造成的晶圆碎片问题，提高了产品良率。并且，该芯片封装方法不需要使用解键合设备，大大降低了封装成本。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种芯片封装方法。

背景技术

近年来，随着半导体器件不断响应“更快、更便宜、更小”的需求，三维堆叠型3D集成技术已经进入了主流半导体制造中。其中，TSV(硅通孔)技术通过垂直的芯片通孔互联，带来了更短的互联长度和更小的封装面积，在很大程度上提高了信号传输速度并减小了寄生功耗。为了满足TSV制造需求，减薄晶圆已是大势所趋。但是超薄器件晶圆具有柔性和易碎性，容易翘曲和起伏，因此需要一种支撑系统来使TSV加工顺利进行。在此背景下，临时键合和解键合技术应运而生。

现有的三维芯片封装过程一般是：首先采用临时键合胶将晶圆和载片键合，形成临时键合体；然后在临时键合体上的晶圆进行减薄以及切割，得到若干固定在载片上的单片晶圆；最后通过解键合工艺将单片晶圆从载片上分离。但是由于分离时的诸多不稳定因素，在单片晶圆从载片上分离的过程中会存在很大的碎片风险。例如，采用热滑移的方式进行解键合时，高温下容易使分离后的薄晶圆产生一定的翘曲以及碎片风险；采用基于Zonebond技术的机械解键合方式，在解键合之前需要将键合体预浸泡较长时间，其表面存在产生解键合的机械应力，易造成晶圆碎片。另外，后一种解键合方式的设备成本较为昂贵。

发明内容

为此，本发明所要解决的技术问题是：现有技术中，解键合时易造成晶圆碎片。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供了一种芯片封装方法，包括以下步骤：

将待封装晶圆和载片键合，其中，所述载片中具有若干凹槽，所述凹槽与所述晶圆形成容置空腔；

对所述晶圆进行减薄；

沿各所述凹槽周边的支撑部对减薄后的所述晶圆进行切割，得到若干芯片，其中，所述切割宽度大于等于所述支撑部的宽度。

可选地，在所述将待封装晶圆和载片键合的步骤之前，还包括：在所述晶圆表面制备若干第一凸点；

在所述将待封装晶圆和载片键合步骤中，所述第一凸点位于所述容置空腔内。

可选地，所述第一凸点与所述凹槽侧壁之间的距离为不小于100μm。

可选地，所述第一凸点与所述凹槽底壁之间的距离为不小于50μm。

可选地，对所述晶圆进行减薄的步骤之后，还包括：

在减薄后的所述晶圆中形成若干在厚度方向上贯穿所述晶圆的通孔，所述通孔与所述第一凸点的底部相连；

在若干所述通孔中填充导电材料并延伸至所述晶圆表面；

在所述晶圆远离所述载片的一面制备若干第二凸点，所述第一凸点与所述第二凸点通过所述导电材料电连接。

可选地，在所述将待封装晶圆和载片键合的步骤之后，还包括：

对所述载片进行减薄，以暴露出所述晶圆；

在所述支撑部之间的暴露在外的所述晶圆表面填充内容物。

可选地，在所述支撑部之间的暴露在外的所述晶圆表面填充内容物的步骤之后，还包括：