[发明专利]芯片封装方法有效
| 申请号: | 201810555762.6 | 申请日: | 2018-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN108831863B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
| 发明(设计)人: | 任玉龙 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 陈博旸 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 方法 | ||
1.一种芯片封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
在晶圆(1)表面制备若干第一凸点(11);
将待封装晶圆(1)和载片(2)键合,其中,所述载片(2)中具有若干凹槽(21),所述凹槽(21)与所述晶圆(1)形成容置空腔,所述第一凸点(11)位于所述容置空腔内;
对所述载片(2)进行减薄,以暴露出所述晶圆(1);
在支撑部(22)之间的暴露在外的所述晶圆(1)表面填充内容物(23);
对所述晶圆(1)进行减薄;
沿各所述凹槽(21)周边的支撑部(22)对减薄后的所述晶圆(1)进行切割,得到若干芯片,其中,所述切割宽度大于等于所述支撑部(22)的宽度。
2.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述第一凸点(11)与所述凹槽(21)侧壁之间的距离不小于100μm。
3.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述第一凸点(11)与所述凹槽(21)底壁之间的距离不小于50μm。
4.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,对所述晶圆(1)进行减薄的步骤之后,还包括:
在减薄后的所述晶圆(1)中形成若干在厚度方向上贯穿所述晶圆(1)的通孔(12),所述通孔(12)与所述第一凸点(11)的底部相连;
在若干所述通孔(12)中填充导电材料(13)并延伸至所述晶圆(1)表面;
在所述晶圆(1)远离所述载片(2)的一面制备若干第二凸点(14),所述第一凸点(11)与所述第二凸点(14)通过所述导电材料(13)电连接。
5.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,在所述支撑部(22)之间的暴露在外的所述晶圆(1)表面填充内容物(23)的步骤之后,还包括:
对所述内容物(23)表面以及所述支撑部(22)表面进行减薄,以使所述支撑部(22)和所述内容物(23)表面平齐。
6.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,沿各所述凹槽(21)周边的支撑部(22)对减薄后的所述晶圆(1)进行切割,得到若干芯片的步骤之后,还包括:
去除所述内容物(23),完成芯片封装。
7.根据权利要求1所述的芯片封装方法,其特征在于,所述内容物(23)为可溶性胶水,其耐受温度不低于200摄氏度。
8.根据权利要求4所述的芯片封装方法,其特征在于,沿各所述凹槽(21)周边的支撑部(22)对减薄后的所述晶圆(1)进行切割时,切割位距离其最近的所述第一凸点(11)/第二凸点(14)不小于50μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





