[发明专利]存储器设备中的读取和编程操作

说明书

本发明涉及存储器设备中的读取和编程操作。描述了用于可操作以对存储器设备中的存储器单元进行编程的存储器设备的技术。存储器设备可以包括多个存储器单元和存储器控制器。存储器控制器可以接收数据页。存储器控制器可以将数据页分割成数据段的组。存储器控制器可以将数据段的组编程到所述多个存储器单元中的与禁止瓦片组（ITG）相关联的存储器单元。可以使用与ITG相关联的存储器单元中的每个中包括的所有位对针对数据页的数据段的组进行编程。

背景技术

存储器设备通常被提供作为计算机或其它电子设备中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包括易失性存储器（例如动态随机存取存储器（DRAM）和同步动态随机存取存储器（SDRAM））以及非易失性存储器（例如闪速存储器）。

闪速存储器设备通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的一个-晶体管存储器单元。通过对电荷存储节点（例如浮置栅极或电荷捕获）的编程，单元的阈值电压的中的改变确定每个单元的数据状态。诸如相变（PRAM）之类的其它非易失性存储器使用诸如物理材料改变或极化之类的其它物理现象来确定每个单元的数据状态。除了别的以外，闪速存储器和其它固态存储器的常见使用还包括个人计算机、个人数字助理（PDA）、数字相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、器具、运载工具、无线设备、蜂窝电话和可移动便携式存储器模块。这样的存储器的使用继续扩展。

附图说明

从随后的结合附图理解的详细描述中，发明实施例的特征和优点将显而易见，附图通过示例的方式一起图示了发明特征；并且其中：

图1A和1B图示了依照示例实施例的将数据页存储在存储器设备的存储器单元中；

图2A和2B图示了依照示例实施例的将数据页存储在存储器设备的存储器单元中；

图3图示了依照示例实施例的存储器设备中的突然（snap）读取操作；

图4A和4B图示了依照示例实施例的存储器设备中的读取和编程操作；

图5A和5B图示了依照示例实施例的存储器设备中的读取和编程操作；

图6图示了依照示例实施例的再同步电路；

图7图示了依照示例实施例的具有字线延迟补偿的再同步电路；

图8图示了依照示例实施例的用于对存储器设备中的存储器单元进行编程的操作；

图9图示了依照示例实施例的用于从存储器设备中的存储器单元读取数据的操作；

图10图示了依照示例实施例的用于从存储器设备中的存储器单元读取数据的操作；

图11图示了依照示例的存储器设备；

图12图示了依照示例实施例的存储器系统图；以及

图13图示了依照示例实施例的包括数据存储设备的计算系统。

现在将参考图示的示例性实施例，并且在本文中将使用具体语言来描述所述示例性实施例。然而将理解：由此不意图对发明范围的限制。

具体实施方式

在描述公开的发明实施例之前，要理解：本公开不限于本文中公开的特定结构、过程步骤或材料，而是扩展到如将由相关领域中的普通技术人员认识到的其等同物。还应当理解：本文中采用的术语仅用于描述特定示例或实施例的目的，并且不意图是限制性的。不同附图中的相同参考数字表示相同的元件。流程图和过程中提供的数字是为了图示步骤和操作时的清楚而提供的，并且不一定指示特定的次序或顺序。

此外，所描述的特征、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合。在下面的描述中，提供了许多具体细节，诸如布局的示例、距离、网络示例等，以提供对各种发明实施例的透彻理解。然而，相关领域中的技术人员将认识到：这样的详细实施例不限制本文中清楚地表达的总体发明构思，而仅是其代表。