[发明专利]半导体封装及其制造方法有效
申请号: | 201810554623.1 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN109427714B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 颜尤龙;陈光雄;梁心丞;徐沛妤 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
本发明揭示一种半导体封装,其包含裸片及电连接到所述裸片的经图案化导电层。所述经图案化导电层包含连接垫及迹线。所述半导体封装进一步包含囊封所述裸片及所述经图案化导电层的囊封层。所述半导体封装,其进一步包含安置在所述连接垫上的电连接元件及包含围绕所述电连接元件的侧壁部分的保护层。
技术领域
本发明大体来说涉及半导体封装及其制造方法。
背景技术
在半导体装置封装中,在衬底与模塑料之间可存在接口。在热处理期间,衬底与模塑料之间的相应热膨胀系数(CTE)的失配可导致半导体装置封装件翘曲,且因此在热处理期间衬底可能与模塑料分离。
在半导体装置封装中,可在安装焊料球之前在衬底上设置保护层。可将保护层的部分移除以暴露衬底的连接垫,使得其可接纳用于外部连接的焊料球。此方法还可能涉及用于去除保护层的额外工艺,此会增加用于制造半导体装置封装的成本或处理时间。
发明内容
在一些实施例中,根据一个方面,半导体封装包含裸片及电连接到裸片的经图案化导电层,经图案化导电层包含连接垫及迹线。半导体封装进一步包含囊封裸片及经图案化导电层的囊封层,以及安置在连接垫上的电连接元件。半导体封装进一步包含保护层,其包含围绕电连接元件的侧壁部分。
在一些实施例中,根据另一方面,制造半导体封装的方法包含在载体上形成包含连接垫的经图案化导电层,及将裸片电连接到经图案化导电层。所述方法进一步包含形成囊封裸片及经图案化导电层的囊封层,以及去除载体以暴露经图案化导电层的连接垫。所述方法进一步包含在连接垫上形成涂覆层,在涂覆层上形成电连接元件,及加热涂覆层以在电连接元件上形成保护层。保护层包含围绕电连接元件的侧壁部分。
附图说明
当与附图一起阅读时可自以下详述描述最佳理解本发明的方面。应注意,各种特征可能未按比例绘制,且各种特征的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。
图1A为说明根据本发明的一些实施例的半导体裸片封装的横截面图的示意图。
图1B为说明根据本发明的一些实施例的半导体裸片封装的横截面图的示意图。
图1C为说明根据本发明的一些实施例的半导体裸片封装的横截面图的示意图。
图1D为说明根据本发明的一些实施例的半导体裸片封装的横截面图的示意图。
图1E为说明根据本发明的一些实施例的半导体裸片封装的横截面图的示意图。
图1F为说明根据本发明的一些实施例的半导体裸片封装的横截面图的示意图。
图2A为说明根据本发明的一些实施例的半导体裸片封装的横截面图的示意图。
图2B为说明根据本发明的一些实施例的半导体裸片封装的横截面图的示意图。
图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G、图3H、图3I及图3J说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装的方法。
图4A及图4B说明根据本发明的一些实施例制造半导体封装的方法的一些阶段。
图5A、图5B及图5C说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装的方法。
图5D说明根据本发明的一些实施例的制造半导体封装的方法的阶段。
图6为说明半导体封装的一些实施例的示意图。
图7为说明半导体封装的比较实例的示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810554623.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集成电路芯片的基于金刚石的散热基板
- 下一篇:半导体封装