[发明专利]半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，其包括：

裸片；

电连接到所述裸片的经图案化导电层，所述经图案化导电层包括连接垫及迹线；

囊封层，其囊封所述裸片及所述经图案化导电层；

电连接元件，其安置在所述连接垫上；

保护层，其包括围绕所述电连接元件的至少部分的侧壁部分，

其中所述侧壁部分是第一部分，所述保护层进一步包括第二部分和第三部分，其中所述第二部分覆盖所述迹线，所述第三部分覆盖所述囊封层，且

其中所述第二部分的上表面与所述第三部分的上表面基本上不共面；

焊接材料；及

导电柱，其中所述裸片的有源表面电连接到所述导电柱，所述焊接材料安置在所述经图案化导电层与所述导电柱之间且与所述经图案化导电层与所述导电柱直接接触，

其中所述焊接材料的侧面、所述导电柱的侧面、所述裸片的侧面和所述经图案化导电层的侧面共面，且所述囊封层覆盖所述经图案化导电层的所述侧面、所述焊接材料的所述侧面、所述导电柱的所述侧面、所述裸片的所述侧面，

其中所述经图案化导电层的宽度与所述导电柱的宽度相同，且

其中所述经图案化导电层的所述宽度与所述焊接材料的宽度相同。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述保护层的所述第二部分与所述迹线共形，且其中所述保护层的所述第三部分与所述囊封层共形，且其中所述保护层的所述第二部分及所述保护层的所述第三部分具有阶梯形状。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电连接元件具有低于所述囊封层的上表面的下表面。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述保护层接触所述囊封层的上表面及内侧壁。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述保护层接触且覆盖所述迹线。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述侧壁部分具有弧形表面，其未与所述电连接元件接触。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电连接元件包括第一部分及第二部分，且其中所述电连接元件的所述第一部分嵌入在所述囊封层且所述电连接元件的所述第二部分被所述保护层围绕。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述电连接元件的所述第二部分具有半球形状。

9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中：

所述电连接元件的所述第二部分与所述经图案化导电层之间的第一最大距离为距离X；

所述保护层的所述侧壁部分与所述经图案化导电层之间的第二最大距离为距离Y；及

所述距离Y小于或等于所述距离X的一半。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述保护层经安置抵靠所述电连接元件。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述保护层安置在所述经图案化导电层上。

12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述迹线及所述囊封层被所述保护层覆盖。

13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中安置在所述囊封层上面的所述保护层具有在2微米(μm)至15μm范围内的厚度。

14.根据权利要求1所述的半导体封装，其中

所述经图案化导电层具有第一上表面且所述囊封层具有第二上表面，及

所述第二上表面不与所述第一上表面共面。

15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中

所述经图案化导电层的第一上表面低于所述囊封层的第二上表面，及

所述保护层的部分嵌入在所述囊封层中。