[发明专利]集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S1，在晶圆上涂有机材料，其中，所述晶圆上包括第一图形区和第二图形区，所述第一图形区在单位面积内图形的数量大于所述第二图形区在单位面积内图形的数量，所述第一图形区和所述第二图形区均包括至少一焊盘，且第二图形区内的焊盘的体积大于第一图形区内焊盘的体积；

步骤S2，对有机材料进行显影工艺后的回退刻蚀；

步骤S3，在步骤S2的基础上涂有机材料；

步骤S4，在步骤S3的基础上对有机材料进行显影工艺后的回退刻蚀，经步骤S2后所述第二图形区内的光刻胶与第一图形区内的光刻胶的高度差大于经步骤S4后所述第二图形区内的光刻胶与第一图形区内的光刻胶的高度差，并使第二图形区内的光刻胶的高度小于第二图形区内的焊盘的高度；以及

步骤S5，进行所述晶圆上介电质的回退刻蚀，使所述第二图形区内的焊盘的侧壁不高于所述第二图形区内的焊盘的中心位置的高度。

2.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，所述有机材料为光刻胶。

3.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，所述有机材料为耐高温富碳涂层材料或低温富碳涂层材料。

4.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，还包括步骤S41，在步骤S4的基础上涂光刻胶；以及步骤S42，在步骤S41的基础上对光刻胶进行显影工艺后的回退刻蚀。

5.根据权利要求1或4任一项所述的集成电路的制造方法，其特征在于，经步骤S5后，所述第一图形区内的焊盘的高度等于所述第二图形区内的焊盘的高度。

6.根据权利要求1或4任一项所述的集成电路的制造方法，其特征在于，所述第二图形区包括至少一焊盘，经步骤S4后，所述第二图形区内的光刻胶的高度小于所述第二图形区内的焊盘的高度。

7.根据权利要求4所述的集成电路的制造方法，其特征在于，经步骤S2后所述第二图形区内的光刻胶与第一图形区内的光刻胶的高度差大于经步骤S42后所述第二图形区内的光刻胶与第一图形区内的光刻胶的高度差。

8.根据权利要求1所述的集成电路的制造方法，其特征在于，所述晶圆的关键尺寸小于28nm。