[发明专利]用于化学增幅抗蚀剂组合物的含碘聚合物

说明书

用于化学增幅抗蚀剂组合物的含碘聚合物。一种单体，具有式(I)：其中在式(I)中，基团和变量与本说明书中所述的相同。

技术领域

本公开总体上涉及包括光酸产生剂的聚合物组合物。具体来说，本公开提供衍生自 含碘单体的共聚物。

背景技术

极紫外光刻技术(“EUVL”)是替代光学光刻技术的主要技术选择之一以用于特征尺寸<20nm的体积半导体制造。极短的波长(13.4nm)是多代技术所需高分辨率的关 键促进因素。此外，整个系统概念-扫描曝光、投影光学、掩模格式和抗蚀技术-与当前 光学技术所使用的非常相似。像以前的光刻技术代一样，EUVL由抗蚀技术、曝光工具 技术和掩膜技术组成。主要挑战是EUV源功率和吞吐量。EUV电源的任何改进都将直 接影响目前严格的抗蚀剂灵敏度规格。事实上，EUVL成像中的一个主要问题是抗蚀剂 灵敏度，灵敏度越低，需要的源功率越大或者需要完全曝光抗蚀剂的曝光时间越长。功 率水平越低，噪音越多影响印刷线的线边缘粗糙度(“LER”)。

提高极紫外(“EUV”)的灵敏度是关键的促进因素。已经表明，EUV光吸收截面和 二次电子产生率是EUV灵敏度的关键因素。增加EUV光致抗蚀剂灵敏度的一种方法是 增加其在13.5nm下的吸收截面，所述吸收截面是可以使用已知原子吸收在理论上计算 的材料的原子特性。构成抗蚀剂材料的典型原子(如碳、氧、氢和氮)在13.5nm下具 有非常弱的吸收。氟原子的吸收稍高，并且已用于寻找高EUV吸收光致抗蚀剂。

碘在EUV辐射下具有非常高的吸收截面。最近的专利申请JP 2015-161823公开了可用于光刻加工的含碘单体和相应的聚合物。然而，这些单体都没有考虑延伸链来改善 含碘单体的结合。仍然需要富含碘的单体和相应的聚合物，其具有良好的溶解性并且在 EUV曝光下赋予改善的灵敏度。

发明内容

一个实施例提供具有式(I)的单体：

其中在式(I)中：

W是-(C＝O)O-、-O(C＝O)-、-O(SO₂)-、-(SO₂)O-、-NH(SO₂)-、-(SO₂)NH-、-NH(CO)-、-(CO)NH-、-SO₂-、-SO-，

R^a是H、F、-CN、C_1-10烷基或C_1-10氟烷基；

L为选自以下的连接基团：未经取代或经取代的C_1-20亚烷基、未经取代或经取代的C_3-20亚环烷基、未经取代或经取代的C_6-20亚芳基和未经取代或经取代的C_7-20亚芳烷基；

表示单环或多环未经取代或经取代的C_6-30亚芳基或单环或多环未经 取代或经取代的C_3-30亚杂芳基，其中“*”表示与相邻基团或原子的连接点；

“I”表示碘；