[发明专利]掩膜板和掩膜板的制造方法

权利要求书

1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：

掩膜，所述掩膜包括掩膜基底以及设置在所述掩膜基底上的镀层，所述镀层的热膨胀系数大于所述掩膜基底的热膨胀系数；

其中，所述掩膜在蒸镀温度下为平整状态，所述掩膜中的镀层在所述蒸镀温度下由凸起状态膨胀为所述平整状态，所述蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时所述掩膜板所在区域的温度；

所述掩膜被配置为在磁性组件的吸附作用下与待蒸镀的基板接触，且所述掩膜基板相对于所述镀层靠近所述待蒸镀的基板。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括掩膜框架，

所述掩膜设置所述镀层的一侧与所述掩膜框架固定连接。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基底包括第一区域与第二区域，所述镀层设置在所述第一区域上，

所述掩膜框架与所述掩膜基底的第二区域固定连接。

4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜框架上设置有凸台，

所述掩膜与所述凸台固定连接。

5.根据权利要求1至4任一所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基底的材料包括铁磁性材料。

6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基底的宽度为30毫米，所述掩膜在常温下呈朝向所述掩膜基底的凸起状态，凸起状态的所述掩膜的翘曲度为1毫米，

所述镀层的材料包括铜，所述镀层的厚度为40微米，所述蒸镀温度为80度。

7.根据权利要求1至4任一所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基底的宽度为30毫米，所述掩膜在常温下呈朝向所述掩膜基底的凸起状态，凸起状态的所述掩膜的翘曲度为1毫米，

所述镀层的材料包括铝，所述镀层的厚度为20微米，所述蒸镀温度为80度。

8.根据权利要求1至4任一所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括至少一个所述掩膜。

9.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，用于制造包括多个掩膜的掩膜板，所述方法包括：

提供掩膜基底；

在所述掩膜基底上形成镀层，所述镀层的热膨胀系数大于所述掩膜基底的热膨胀系数，所述镀层和所述掩膜基底构成所述掩膜；

其中，所述掩膜在蒸镀温度下为平整状态，所述掩膜中的镀层在所述蒸镀温度下由凸起状态膨胀为所述平整状态，所述蒸镀温度为蒸镀腔室中，加热蒸镀材料时所述掩膜板所在区域的温度；

所述掩膜被配置为在磁性组件的吸附作用下与待蒸镀的基板接触，且所述掩膜基板相对于所述镀层靠近所述待蒸镀的基板。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述掩膜基底上形成镀层，包括：

在所述蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成所述镀层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之前，所述方法还包括：

将所述掩膜基底与掩膜框架固定连接；

所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层，包括：

在所述蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底靠近所述掩膜框架上形成所述镀层。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在蒸镀温度的环境中，在处于平整状态的所述掩膜基底上形成镀层之后，所述方法还包括：

在常温环境中，将所述掩膜的指定区域压在掩膜框架上；

将所述掩膜的指定区域与所述掩膜框架固定连接。