[发明专利]一种有机电致发光器件有效
申请号: | 201810542709.2 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108695440B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 段炼;李熠烺;宋晓增;张东东;李国孟 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司;清华大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 成珊 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单线态能级 主体材料 三线态 激基复合物 客体材料 有机电致发光器件 延迟荧光材料 激发能量 发光层 热活化 激子 电子供体材料 电子受体材料 分子键断裂 器件寿命 抑制器件 有效抑制 单线态 减小 | ||
本发明公开了一种有机电致发光器件,发光层中包括主体材料和客体材料,主体材料是由电子供体材料和电子受体材料形成的激基复合物,客体材料为热活化延迟荧光材料,主体材料的单线态能级低于客体材料的单线态能级。由于发光层中作为主体材料的激基复合物的单线态能级低于热活化延迟荧光材料的单线态能级,避免了高能激子的产生,有效抑制由于高激发能量引起的分子键断裂;激基复合物的单线态能级低,有利于减小器件内激子的激发能量,抑制器件内的三线态‑三线态湮灭、三线态‑极化子湮灭和单线态‑三线态湮灭现象,减轻器件的效率滚降,延长器件寿命。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件(organic light-emitting diodes,OLED)由于超薄、重量轻、能耗低、主动发光、视角宽、响应快等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景,越来越受到人们的重视。
1987年,美国Eastman Kodak公司的邓青云(C.W.Tang)和Vanslyke首次报道了基于Alq3以及三芳胺类的双层有机电致发光器件,开启了OLED研究方向。传统荧光材料易于合成,价格便宜,材料稳定,器件寿命较长,但是由于电子自旋禁阻的原因最多只能利用25%的单线态激子进行发光,器件外量子效率往往低于5%,需要进一步提高。
为了降低成本同时突破OLED器件25%的内量子效率限制,日本九州大学的Adachi教授提出了热活化延迟荧光(TADF:Thermally Activated Delayed Fluorescence)机制。在具有较小单线态-三线态能级差(ΔEST)的有机小分子材料中,其三线态激子可通过反向系间窜越(RISC:Reverse Intersystem Crossing)这一过程转化为单线态激子,理论上其器件内量子效率能达到100%。TADF材料能够同时结合荧光和磷光材料的优点,被称为第三代有机发光材料,引起了大家的广泛关注。
采用掺杂方式制作的OLED器件在器件的发光效率上具有优势,现有技术中主客体掺杂的OLED器件,以禁带宽度窄的激基复合物作为主体材料,敏化客体染料分子。上述的OLED器件提高了激子利用率,使器件的内量子效率得到提升。但是,在主客体材料之间能量转移的过程中,激子的激发能量高,使发光层内的三线态-三线态湮灭(Triplet-Triplet Annihilation,TTA)、三线态-极化子湮灭(TPA)和单线态-三线态湮灭(STA)严重,导致器件的效率滚降加快、使用寿命缩短。
发明内容
因此,本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中以激基复合物为主体材料的有机电致发光器件,发光层内的三线态-三线态湮灭(TTA)、三线态-极化子湮灭(TPA)和单线态-三线态湮灭(STA)现象严重,导致器件的效率滚降快和发光寿命短的缺陷。
为此,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括发光层,所述发光层中包括主体材料和客体材料,
所述主体材料是由电子供体材料和电子受体材料形成的激基复合物,
所述客体材料为热活化延迟荧光材料,
所述主体材料的单线态能级低于所述客体材料的单线态能级。
优选地,上述的有机电致发光器件,所述客体材料的单线态能级和所述主体材料的单线态能级的能级差小于0.3eV。
优选地,上述的有机电致发光器件,所述主体材料的单线态能级与三线态能级的能级差小于0.15eV。
优选地,上述的有机电致发光器件,所述客体材料的单线态能级与三线态能级的能级差小于0.3eV。
优选地,上述的有机电致发光器件,所述电子供体材料的单线态能级高于所述客体材料的单线态能级,和/或所述电子受体材料的单线态能级高于所述客体材料的单线态能级。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择