[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201810539268.0 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108735788B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 袁羽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G02F1/1335;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板、其制作方法及显示装置,显示面板包括:第一基板,位于第一基板之上的呈阵列排布的多个像素;每一个像素包括多个不同颜色的子像素;在各子像素的出光侧设置有与各子像素一一对应的干涉滤光片,干涉滤光片,用于透射与对应的子像素颜色相同的窄带波段光线。在各子像素的出光侧设置与该子像素的出射光颜色相对应的干涉滤光片,使得对应颜色的窄带波段光线透射,由此提高各出射光颜色的色彩饱和度,提升显示面板的显示色域,优化显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
随着信息化时代的来临,常规阴极射线管显示器已经被平板显示器取代,目前使用的最多的平板显示器之一为液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD),LCD显示器具有技术发展成熟且价格便宜的特点。LCD显示面板通常包括阵列基板、彩膜基板以及位于两基板之间的液晶层,通过控制阵列基板上薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)的输入信号改变液晶分子的转动方向,从而达到控制每个像素点出射光的亮度达到显示目的。
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)作为新一代的显示技术,具有自发光、广视角、反应时间短、高发光效率、低工作电压、面板薄、可制作大尺寸与可挠曲的显示器的特性,在显示技术领域备受关注。OLED采用有机发光材料作为发光层,在电场作用下正电极空穴与负电极电子会在发光层中结合,产生光子。选择不同的发光材料可以产生不同颜色的光。
然而,现阶段的全彩显示面板通常都存在色彩饱和度较低的问题,造成显示色域不够广,显示效果有待提高。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板、其制作方法及显示装置,用以提升显示面板的色彩饱和度,优化显示效果。
第一方面,本发明实施例提供一种显示面板,包括:第一基板,位于所述第一基板之上的呈阵列排布的多个像素;每一个所述像素包括多个不同颜色的子像素;
在各所述子像素的出光侧设置有与各所述子像素一一对应的干涉滤光片,所述干涉滤光片,用于透射与对应的所述子像素颜色相同的窄带波段光线。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述干涉滤光片包括:两个相对而置的反射层以及位于两个所述反射膜层之间的间隔层。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述反射层包括:交替叠层设置的第一介质层和第二介质层;所述第一介质层的折射率小于所述第二介质层的折射率。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述间隔层与所述干涉滤光片的中心波长满足以下关系:
其中,n为所述间隔层的折射率,d为所述间隔层的几何厚度,λ0为所述干涉滤光片的中心波长,x为大于或等于1的整数。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述第一介质层的材料为氧化硅,所述第二介质层的材料为氮化硅。
在一种可能的实现方式中,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述间隔层的折射率与所述第一介质层的折射率相等,所述干涉滤光片的带通满足以下关系:
其中,2Δλ为所述干涉滤光片的半高峰宽,n0为所述干涉滤光片接触介质的折射率,nL为所述第一介质层的折射率,nH为所述第二介质层的折射率,m为所述干涉滤光片的干涉级数,q为所述一个所述反射层中所述第二介质层的层数,λ0为所述干涉滤光片的中心波长。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的