[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201810539268.0 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108735788B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 袁羽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G02F1/1335;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:第一基板,位于所述第一基板之上的呈阵列排布的多个像素;每一个所述像素包括多个不同颜色的子像素;
在各所述子像素的出光侧设置有与各所述子像素一一对应的干涉滤光片,所述干涉滤光片,用于透射与对应的所述子像素颜色相同的窄带波段光线;
所述干涉滤光片包括:两个相对而置的反射层以及位于两个所述反射膜层之间的间隔层;
所述反射层包括:交替叠层设置的第一介质层和第二介质层;所述第一介质层的折射率小于所述第二介质层的折射率;
所述间隔层的折射率与所述第一介质层的折射率相等,所述干涉滤光片的带通满足以下关系:
其中,2Δλ为所述干涉滤光片的半高峰宽,n0为所述干涉滤光片接触介质的折射率,nL为所述第一介质层的折射率,nH为所述第二介质层的折射率,m为所述干涉滤光片的干涉级数,q为所述一个所述反射层中所述第二介质层的层数,λ0为所述干涉滤光片的中心波长;
或者,
所述间隔层的折射率与所述第二介质层的折射率相等,所述干涉滤光片的带能满足以下关系:
其中,2Δλ为所述干涉滤光片的半高峰宽,n0为所述干涉滤光片接触介质的折射率,nL为所述第一介质层的折射率,nH为所述第二介质层的折射率,m为所述干涉滤光片的干涉级数,q为所述一个所述反射层中所述第二介质层的层数,λ0为所述干涉滤光片的中心波长。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述间隔层与所述干涉滤光片的中心波长满足以下关系:
其中,n为所述间隔层的折射率,d为所述间隔层的几何厚度,λ0为所述干涉滤光片的中心波长,x为大于或等于1的整数。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一介质层的材料为氧化硅,所述第二介质层的材料为氮化硅。
4.如权利要求1-3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为液晶显示面板,所述液晶显示面板还包括:位于各所述像素背离所述第一基板一侧的第二基板;与各所述子像素一一对应的各所述干涉滤光片设置于所述第二基板面向各所述像素的一侧。
5.如权利要求1-3任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为有机发光二极管显示面板。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管显示面板还包括:位于各所述像素背离所述第一基板一侧的保护盖板;与各所述子像素一一对应的各所述干涉滤光片设置于所述保护盖板面向各所述像素的一侧。
7.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述有机发光二极管显示面板还包括:位于各所述像素表面的封装层;与各所述子像素一一对应的各所述干涉滤光片设置于所述封装层背离各所述像素的一侧。
8.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-7任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的