[发明专利]一种白光LED及其制备方法

说明书

本发明属于照明技术领域，具体涉及一种白光LED及其制备方法，包括碳化硅衬底、近紫外发光二极管、铕掺杂硅碳氧层及两个金属电极，所述碳化硅衬底上表面设置有铕掺杂硅碳氧层和金属电极，且金属电极位于铕掺杂硅碳氧层正中心，所述碳化硅衬底下表面设置有近紫外发光二极管，所述近紫外发光二极管下表面设置有金属电极。本发明解决了现有白光LED技术中需要专门生产荧光粉并涂覆的问题，简化了白光LED生产工艺，实现高效白光照明。

技术领域

本发明属于照明技术领域，具体涉及一种白光LED及其制备方法。

背景技术

作为新一代照明光源，半导体发光二极管(LED)由于具有光效高、寿命长、无毒环保等优点，已逐渐进入通用照明市场。

目前，实现白光LED照明主要采用蓝色LED芯片激发黄色的荧光粉，由芯片发射的蓝光和荧光粉所发射的黄光组合得到白光，这种方法由于缺少红色光成分，其显色指数一般小于80，且光源的色温较高。随着科技的发展，人们对照明光源的要求越来越高，采用近紫外光(波长360nm-420nm)激发荧光粉的白光LED受到了广泛关注。这种LED中，白光全部由荧光粉发出，其色纯度仅仅取决于荧光粉的特性，因此可以获得很高的显色指数，并且色度指标不会随着电流、温度等参数的变化大幅波动。

近年来，研究者提出了许多新的近紫外LED器件结构(CN104576855B)及制备方法(CN 105449052B)，也找到许多适合近紫外激发的各色荧光粉(CN101440283、CN102391864A、CN104312583A)，但仍然需要采用传统的荧光粉制备及点胶工艺来获得白光。如果将适合近紫外激发的白色荧光物质直接制备在LED器件上，则可以大大简化白光LED的制备工艺，实现高效白光照明。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明提供一种白光LED，解决了现有白光LED技术中需要专门生产荧光粉并涂覆的问题，简化了白光LED生产工艺，实现高效白光照明。

为实现以上技术目的，本发明的技术方案是：

一种白光LED，其特征在于：包括碳化硅衬底、近紫外发光二极管、铕掺杂硅碳氧层及两个金属电极，所述碳化硅衬底上表面设置有铕掺杂硅碳氧层和金属电极，且金属电极位于铕掺杂硅碳氧层正中心，所述碳化硅衬底下表面设置有近紫外发光二极管，所述近紫外发光二极管下表面设置有金属电极。

所述铕掺杂硅碳氧层将碳化硅衬底的外周面覆盖。

所述铕掺杂硅碳氧层中铕的质量掺杂浓度为0.1-10％。

所述铕掺杂硅碳氧层采用超快激光表面加工技术获得。

所述铕掺杂硅碳氧层的制备方法为：先在碳化硅上沉积氧化铕薄膜，再采用超快激光刻蚀碳化硅/氧化铕表面。

所述氧化铕薄膜沉积厚度为1-100nm。

所述近紫外发光二极管发光波长范围为380-410nm。

所述近紫外发光二极管包括依次沉积在碳化硅衬底下表面的n型氮化镓薄膜、铟镓氮/铝镓氮多量子阱、铝镓氮电子阻挡层以及p型氮化镓薄膜构成。

从以上描述可以看出，本发明具备以下优点：

本发明解决了现有白光LED技术中需要专门生产荧光粉并涂覆的问题，简化了白光LED生产工艺，实现高效白光照明。

附图说明

图1是本发明实施例1的结构示意图。

图2是本发明实施例1的另一个结构示意图。

具体实施方式

结合图1和图2，详细说明本发明的一个具体实施例，但不对本发明的权利要求做任何限定。

实施例1