[发明专利]一种白光LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201810535024.5 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108511583B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 谭永胜;李秀东;方泽波 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人： | 郭云梅 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属电极 白光LED 近紫外发光二极管 碳化硅 铕掺杂 硅碳 氧层 制备 荧光粉 照明技术领域 衬底上表面 衬底下表面 白光照明 下表面 正中心 衬底 涂覆 生产工艺 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种白光LED，其特征在于：包括碳化硅衬底、近紫外发光二极管、铕掺杂硅碳氧层及两个金属电极，所述碳化硅衬底上表面设置有铕掺杂硅碳氧层和金属电极，且金属电极位于铕掺杂硅碳氧层正中心，所述碳化硅衬底下表面设置有近紫外发光二极管，所述近紫外发光二极管下表面设置有金属电极。
2.根据权利要求1所述的一种白光LED，其特征在于：所述铕掺杂硅碳氧层将碳化硅衬底的外周面覆盖。
3.根据权利要求1所述的一种白光LED，其特征在于：所述铕掺杂硅碳氧层中铕的质量掺杂浓度为0.1-10％。
4.根据权利要求1所述的一种白光LED，其特征在于：所述铕掺杂硅碳氧层采用超快激光表面加工技术获得。
5.根据权利要求4所述的一种白光LED，其特征在于：所述铕掺杂硅碳氧层的制备方法为：先在碳化硅上沉积氧化铕薄膜，再采用超快激光刻蚀碳化硅/氧化铕表面。
6.根据权利要求5所述的一种白光LED，其特征在于：所述氧化铕薄膜沉积厚度为1-100nm。
7.根据权利要求1所述的一种白光LED，其特征在于：所述近紫外发光二极管发光波长范围为380-410nm。
8.根据权利要求1所述的一种白光LED，其特征在于：所述近紫外发光二极管包括依次沉积在碳化硅衬底下表面的n型氮化镓薄膜、铟镓氮/铝镓氮多量子阱、铝镓氮电子阻挡层以及p型氮化镓薄膜构成。
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