[发明专利]一种半导体芯片生产工艺

说明书

本发明属于半导体制造技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺，该工艺包括如下步骤：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；将晶圆送入高温扩散炉内进行氧化处理；将晶圆送入匀胶装置上涂抹光刻胶；将晶圆送入光刻机中进行曝光、显影；将晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；将晶圆送入高温炉中进行掺杂；本发明中的匀胶装置通过在工作台上方设置匀胶板，一号电机驱动匀胶板稳定的转动，电缸带动一号电机、匀胶板匀速向下移动，匀胶板均匀地把胶液平铺到晶圆表面，实现了均匀、稳定的匀胶；通过一号滑块和吹气管的相互配合，实现了把工作台表面的灰尘吹向四周，进而被吹气槽喷射出向上的气流带出。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片，晶圆是最常用的半导体材料。光刻工艺总共包括晶片匀胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等步骤，其中，匀胶是为了使分布于晶片上的光刻胶分布均匀并能达到一定厚度，以便曝光时晶片表面的光刻胶都能得到适当的感光；其中在匀胶时通常都是采用电机带动吸附在真空吸盘上的晶片旋转，从而在离心力的作用下使胶均匀分布在晶圆片上，胶膜涂敷厚度可根据电机旋转轴的速度来进行控制。但是由于工作台在安装时可能不是处于水平状态，如此真空吸盘便不是水平状态，所以在电机旋转时，吸盘产生的离心力便不在水平面方向上，从而会使涂覆胶分布的不均匀，导致晶片上的胶层的厚度不一，从而大大影响后续的光刻工艺，因此迫切需要一种其他方式实现的匀胶方案。

现有技术中也出现了一些半导体硅晶圆制造的技术方案，如申请号为201721240564.8的一项中国专利公开了一种光刻机用晶圆片匀胶装置，包括工作台、固定连接在工作台上的电机，以及水平设于电机主轴上的真空吸盘，还包括一个L形的支撑板；所述工作台的正面设有一根水平尺；所述工作台的左侧面通过铰接轴转动连接在支撑板的竖直板部内侧面上；所述支撑板的竖直板部的内侧面上还设有两根水平设置的导轨和一根位于两根导轨之间，且水平设置的螺纹杆，其中所述螺纹杆的一端通过轴承转动连接在支撑板的竖直板部内侧面上；

该技术方案中的匀胶工艺实现了通过调节螺纹杆使整个工作台处于水平状态，从而保证涂覆胶的厚度均匀，但是该方案中的工作台上方的电机转动会产生振动，进而使上方的吸盘抖动，影响匀胶层的均匀性；晶圆上方设置的风机只能保证晶圆上方的空气是流动的，没有从源头把灰尘阻挡在外面；利用离心的方式匀胶，利用离心力把胶液甩出去，匀胶的表面无法百分百保证是一个光滑平面，也就不能百分百保证晶圆的质量。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，本发明提出的一种半导体芯片生产工艺，该工艺中使用的匀胶装置通过在工作台上方设置匀胶板，一号电机驱动匀胶板稳定的转动，电缸带动一号电机、匀胶板匀速向下移动，匀胶板均匀地把胶液平铺到晶圆表面，实现了均匀、稳定的匀胶；通过在工作台顶板边沿设置吹气槽，吹气槽吹出的高压气流喷射到气动伸缩板上，实现了在工作台上方形成由气流组成的封闭空间，防止在匀胶的过程中有灰尘进入；通过一号滑块和吹气管的相互配合，实现了把工作台表面的灰尘吹向四周，进而实现吹向吹气槽喷射出的气流的灰尘被向上的气流带出，吹向支撑板立板的灰尘沿着挡尘板吹到空气中。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该工艺包括如下步骤：

步骤一：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；

步骤二：将步骤一中的晶圆送入高温扩散炉内进行氧化处理；

步骤三：将步骤二中的晶圆送入匀胶装置上涂抹光刻胶；

步骤四：将步骤三中的晶圆送入光刻机中进行曝光、显影；

步骤五：将步骤四中的晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；

步骤六：将步骤五中的晶圆送入高温炉中进行掺杂；