[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及一种半导体器件，提高了半导体器件的可靠性。用于耦合位于半导体区的角部处的场板和场限制环的接触沟槽由相对于晶体取向<011>线性对称布置的第一直线部和第二直线部构成。第一直线部和第二直线部的相应的一端在晶体取向<011>处耦合，并且第一直线部和第二直线部被设置为在与晶体取向<010>和晶体取向<011>不同的方向上延伸。

相关申请的交叉引用

2017年5月31日提交的日本专利申请第2017-107956号的、包括说明书、附图、和摘要的公开内容以引用的方式全部并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件，并且可优选地应用于例如具有功率晶体管的半导体器件。

背景技术

具有功率晶体管的半导体器件具有单元形成区，该单元形成区包括形成在其中的多个功率晶体管；以及终端区，该终端区围绕单元形成区的周边。

功率晶体管的示例包括具有沟槽栅极的功率MISFET和具有沟槽栅极的IGBT。进一步地，场限制环、场板等被视作终端区的终端结构。

日本特开2005-19734号公报(专利文献1)描述了一种具有场限制环和场板的半导体器件，该场限制环由形成在半导体基板处的p型半导体区形成，并且场板由与其耦合的布线形成。

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2005-19734号公报

发明内容

期望提高具有功率晶体管半导体器件的可靠性。

其他目的和新颖特征将通过对本说明书和附图的描述而变得显而易见。

根据一个实施例，用于耦合位于半导体区的角部处的场板和场限制环的接触沟槽由相对于晶体取向&lt;011&gt;线性对称布置的第一直线部和第二直线部形成。然后，第一直线部和第二直线部的相应的一端在晶体取向&lt;011&gt;处耦合，并且第一直线部和第二直线部被设置为在与晶体取向&lt;010&gt;和晶体取向&lt;011&gt;不同的方向上延伸。

根据一个实施例，可以提高半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是一个实施例的半导体器件的平面透视图；

图2是一个实施例的半导体器件的主要部分平面图；

图3是沿图2的线A-A截取的主要部分截面图；

图4是沿图1的线B-B截取的主要部分截面图；

图5是一个实施例的半导体器件的主要部分平面图；

图6是一个实施例的半导体器件的主要部分俯视图；

图7示出了一个实施例的半导体器件的击穿电压特征；

图8示出了研究示例的半导体器件的击穿电压特征；

图9是研究示例的半导体器件的主要部分平面图；

图10是研究示例的半导体器件的主要部分平面图；图11是研究示例的半导体器件的主要部分截面图；

图12是研究示例的半导体器件的模型视图；

图13是修改示例1的半导体器件的主要部分平面图；

图14是沿图13的线Y1-Y1截取的主要部分截面图；以及

图15是修改示例2的半导体器件的主要部分平面图。

具体实施方式