[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板，所述半导体基板具有第一主表面以及与所述第一主表面相反的第二主表面，所述第一主表面具有第一边和与所述第一边正交的第二边；

单元形成区，所述单元形成区形成在所述第一主表面处，并且具有多个晶体管；

第一导电类型的第一半导体区，所述第一半导体区连续地围绕所述单元形成区的周边，并且形成在所述半导体基板的所述第一主表面处；

绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述半导体基板的所述第一主表面上方；

接触沟槽，所述接触沟槽连续地围绕所述单元形成区的周边，并且形成在所述绝缘膜和所述半导体基板中；以及

布线，所述布线连续地围绕所述单元形成区的周边，形成在所述接触沟槽的内部以及所述绝缘膜上方，并且与所述第一半导体区耦合，

其中，所述半导体基板的所述第一主表面是单晶硅的{100}面，

其中，所述半导体基板的所述第一边和所述第二边在<010>方向上延伸，

其中，所述接触沟槽包括沿着所述第一边线性延伸的第一接触沟槽、沿着所述第二边线性延伸的第二接触沟槽、以及将所述第一接触沟槽与所述第二接触沟槽耦合的第三接触沟槽，

其中，所述第三接触沟槽具有相对于作为对称轴的<011>方向对称布置的第一直线部和第二直线部，所述<011>方向相对于所述<010>方向倾斜45°，

其中，所述第一直线部的一端和所述第二直线部的一端彼此耦合，以及

其中，所述第一直线部和所述第二直线部在相互不同的方向上延伸，并且在与所述<010>方向和所述<011>方向不同的方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述布线包括铝膜。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述布线包括所述铝膜和氮化钨膜的层叠结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一直线部和所述第二直线部落入距所述<011>方向±18°或更大且±27°或更小的范围内。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一耦合部，所述第一耦合部用于将所述第一直线部的另一端与所述第一接触沟槽耦合；以及

第二耦合部，所述第二耦合部用于将所述第二直线部的另一端与所述第二接触沟槽耦合，

其中，所述第一耦合部和所述第二耦合部每个都具有圆弧形状。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一直线部在<021>方向上延伸，以及

其中，所述第二直线部在<012>方向上延伸。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述第三接触沟槽的所述第一直线部的第一侧壁是(021)面，以及

其中，所述第三接触沟槽的所述第二直线部的第二侧壁是(012)面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一直线部在<031>方向上延伸，以及

其中，所述第二直线部在<013>方向上延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述第三接触沟槽的所述第一直线部的第一侧壁是(031)面，以及

其中，所述第三接触沟槽的所述第二直线部的第二侧壁是(013)面。