[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备

说明书

本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括：用于放置基片的腔室本体，以及用于对进入所述腔室本体内的工艺气体中的颗粒杂质进行过滤的过滤器，还包括磁性吸附件，所述磁性吸附件用于吸附进入所述腔室本体内的工艺气体中的金属颗粒杂质。外界的工艺气体在进入腔室本体内时，可以利用过滤器过滤掉该工艺气体中的绝大部分颗粒杂质，此外，借助磁性吸附件吸附工艺气体中的金属颗粒杂质，从而可以将过滤器无法过滤掉的微小金属颗粒进行吸附，使得进入到腔室本体内的工艺气体更洁净，进而可以提高基片的工艺质量。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种工艺腔室和一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。

背景技术

随着硅片制程技术的快速发展，晶圆制造企业对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材抖性能的重要物理参数。影响少子寿命的主要因素之一是金属沾污，附着于硅片表层的金属元素经过热处理从硅片的表层扩散到内部,行成有效的复合中心，大大促进与载流子的复合，使硅片的少子寿命降低，进而影响到半导体器件的性能和可靠性。降低硅片热处理时的金属沾污已成为研究立式炉设备重要课题之一。

相关技术中，为了降低硅片在工艺制程时被沾污，常常在硅片装载区的风循环系统中加装颗粒过滤器。但是，过滤器对于小于过滤器精度的微小颗粒无法过滤掉，这些微小颗粒随风循环时漂浮在硅片装载区，飘落在硅片表面产生颗粒污染，该微小颗粒主要是由运动机构摩擦产生，其主要成分是铁元素，在进行热处理时易与工艺腔室内氯化氢等工艺气体产生化学反应成为离子态扩散到硅片内部造成铁金属沾污。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室和一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。

为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种工艺腔室，包括：用于放置基片的腔室本体，以及用于对进入所述腔室本体内的工艺气体中的颗粒杂质进行过滤的过滤器，还包括磁性吸附件：

所述磁性吸附件用于吸附进入所述腔室本体内的工艺气体中的金属颗粒杂质。

可选地，所述磁性吸附件包括间隔设置的多层磁性吸附子层，并且，各层磁性吸附子层上均设置有若干个贯穿其厚度的排气孔。

可选地，相邻两层所述磁性吸附子层上的排气孔交错排列。

可选地，所述排气孔的直径为1mm～3mm，相邻所述排气孔的间距为3mm～9mm。

可选地，所述磁性吸附件为永磁体或电磁体。

可选地，所述磁性吸附件位于所述过滤器的入风口处或位于所述过滤器的出风口处。

可选地，还包括：

至少一个固定件，所述磁性吸附件通过所述固定件与所述过滤器连接或固定到所述腔室本体的内侧壁上。

可选地，所述固定件包括：

底壁，设置有贯穿其厚度的安装槽，紧固件通过所述安装槽将所述底壁与所述过滤器连接或固定到所述腔室本体的内侧壁上；

侧壁，自所述底壁的一端弯折延伸形成，所述侧壁与所述磁性吸附件抵接。

可选地，还包括：

冷凝器，与所述腔室本体连接，用于冷却所述工艺气体；

风道，连通所述冷凝器和所述过滤器或所述磁性吸附件；

风机，位于所述风道中，用于将冷却后的所述工艺气体送入所述腔室本体。

本发明的第二方面，提供了一种半导体处理设备，包括前文记载的所述的工艺腔室。