[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备在审
| 申请号： | 201810529483.2 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110538533A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 刘耀琴;杨帅;刘建涛;黄扬君 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | B01D50/00 | 分类号： | B01D50/00 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;姜春咸<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工艺气体 过滤器 磁性吸附件 体内 腔室 吸附 过滤 金属颗粒杂质 颗粒杂质 半导体处理设备 微小金属颗粒 工艺腔室 腔室本体 进入腔 洁净 | ||
1.一种工艺腔室，包括：用于放置基片的腔室本体，以及用于对进入所述腔室本体内的工艺气体中的颗粒杂质进行过滤的过滤器；其特征在于，还包括：磁性吸附件；
所述磁性吸附件用于吸附进入所述腔室本体内的工艺气体中的金属颗粒杂质。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述磁性吸附件包括间隔设置的多层磁性吸附子层，并且，各层所述磁性吸附子层上均设置有若干个贯穿其厚度的排气孔。
3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，相邻两层所述磁性吸附子层上的排气孔交错排列。
4.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述排气孔的直径为1mm～3mm，相邻所述排气孔的间距为3mm～9mm。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述磁性吸附件为永磁体或电磁体。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述磁性吸附件位于所述过滤器的入风口处或位于所述过滤器的出风口处。
7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，还包括：
至少一个固定件，所述磁性吸附件通过所述固定件与所述过滤器连接或固定到所述腔室本体的内侧壁上。
8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，所述固定件包括：
底壁，设置有贯穿其厚度的安装槽，紧固件通过所述安装槽将所述底壁与所述过滤器连接或固定到所述腔室本体的内侧壁上；
侧壁，自所述底壁的一端弯折延伸形成，所述侧壁与所述磁性吸附件抵接。
9.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，还包括：
冷凝器，与所述腔室本体连接，用于冷却所述工艺气体；
风道，连通所述冷凝器和所述过滤器或所述磁性吸附件；
风机，位于所述风道中，用于将冷却后的所述工艺气体送入所述腔室本体。
10.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1至9中任意一项所述的工艺腔室。
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