[发明专利]一种TFT阵列基板、显示面板

说明书

本发明提供了一种TFT阵列基板，包括：基板；第一金属层，第一金属层设于基板之上；栅极绝缘层，栅极绝缘层设于第一金属层之上并延伸至基板表面，栅极绝缘层包括设于第一金属层上的平坦部和与平坦部相对两侧相连接的一对阶梯部；第二金属层，第二金属层设于平坦部之上，第二金属层在基板表面的正投影的面积小于平坦部表面的面积；保护层，保护层设于第二金属层和栅极绝缘层之上。由于第二金属层正投影的面积小于平坦部表面的面积，即第二金属层的一侧或相对的两侧向内缩进了一段距离，使第二金属层“后退”了一段距离。因此，保护层不需要连续爬坡。最终使得保护层不易出现破膜、氧化等问题，大大提高了TFT阵列基板的稳定性。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种TFT阵列基板、显示面板。

背景技术

在TFT阵列基板的制备过程中，通常会将第一金属层与第二金属层的相对两侧进行切齐处理，使得第二金属层与栅极绝缘层中的平坦层的宽度大致相等。但在制备保护层时，厚度仅为2000A的保护层需要爬坡第一金属层，栅极绝缘层和第二金属层近10000A的高度。而此时由于已经进行了切齐处理，导致保护层需要连续爬坡，使保护层无法得到缓冲。因此，保护层在栅极绝缘层和第二金属层的连接处极易发生破膜，进而出现氧化等问题。但目前，尚没有一些良好的解决办法来避免此问题。

发明内容

鉴于此，为了解决上述问题，本发明提供了一种TFT阵列基板、显示面板，将第二金属层后退一段距离，进而增大第二金属层与栅极绝缘层之间的距离来使保护层得到缓冲，避免破膜，氧化现象的发生。

本发明第一方面提供了一种TFT阵列基板，包括：

基板；

第一金属层，所述第一金属层设于所述基板之上；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设于所述第一金属层之上并延伸至所述基板表面，所述栅极绝缘层包括设于所述第一金属层上的平坦部和与所述平坦部相对两侧相连接的一对阶梯部；

第二金属层，所述第二金属层设于所述平坦部之上，所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积小于所述平坦部表面的面积；

保护层，所述保护层设于所述第二金属层和所述栅极绝缘层之上。

本发明第一方面提供的一种TFT阵列基板，所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积，即第二金属层与平坦部表面相邻接的第二金属层的下表面在所述平坦部表面的正投影的面积。由于所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积小于所述平坦部表面的面积，意味着第二金属层的一侧或相对的两侧向平坦部表面的中心缩进了一段距离，使得第二金属层“后退”了一段距离，让第二金属层和栅极绝缘层的平坦部形成了一台阶结构。因此，在保护层的制备过程中，保护层不需要连续爬坡，而是使爬坡分成了两段，保护层可以在台阶结构处得到缓冲。最终导致保护层不易出现破膜、氧化等问题，大大提高了TFT阵列基板的稳定性。

其中，所述第二金属层的相对两侧均向所述平坦部的中心缩进预设宽度。

其中，所述预设宽度为0.5-1μm。

其中，所述第一金属层的相对两侧为第一斜面，所述阶梯部包括与所述平坦部相连的第二斜面，所述第二金属层的相对两侧为第三斜面，所述第一斜面、所述第二斜面和所述第三斜面与所述基板表面的夹角为40-60°。

其中，所述栅极绝缘层设有第一沟槽以使所述第二金属层部分设于所述第一金属层之上。

其中，所述第二金属层设有第二沟槽，所述第二沟槽的正投影位于所述第一沟槽的正投影之内。

其中，通过涂布工艺、光罩工艺或刻蚀工艺使所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积小于所述平坦部表面的面积。

其中，所述第一金属层与所述第二金属层的材质分别选自铜、钨、铬和铝中的一种或多种。