[发明专利]一种TFT阵列基板、显示面板在审
| 申请号： | 201810528473.7 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108735763A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赵阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二金属层 第一金属层 栅极绝缘层 保护层 平坦部 平坦部表面 基板表面 一段距离 正投影 基板 显示面板 相对两侧 阶梯部 爬坡 破膜 缩进 向内 延伸 | ||
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
第一金属层，所述第一金属层设于所述基板之上；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设于所述第一金属层之上并延伸至所述基板表面，所述栅极绝缘层包括设于所述第一金属层上的平坦部和与所述平坦部相对两侧相连接的一对阶梯部；
第二金属层，所述第二金属层设于所述平坦部之上，所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积小于所述平坦部表面的面积；
保护层，所述保护层设于所述第二金属层和所述栅极绝缘层之上。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二金属层的相对两侧均向所述平坦部的中心缩进预设宽度。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述预设宽度为0.5-1μm。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一金属层的相对两侧为第一斜面，所述阶梯部包括与所述平坦部相连的第二斜面，所述第二金属层的相对两侧为第三斜面，所述第一斜面、所述第二斜面和所述第三斜面与所述基板表面的夹角为40-60°。
5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层设有第一沟槽以使所述第二金属层部分设于所述第一金属层之上。
6.如权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二金属层设有第二沟槽，所述第二沟槽的正投影位于所述第一沟槽的正投影之内。
7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，通过涂布工艺、光罩工艺或刻蚀工艺使所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积小于所述平坦部表面的面积。
8.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层的材质分别选自铜、钨、铬和铝中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层的材质包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化铝，所述保护层的材质包括氧化硅或氮化硅。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的TFT阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
