[发明专利]一种发光二极管芯片制造的光刻工艺中的显影装置有效

专利信息
申请号: 201810523409.X 申请日: 2018-05-28
公开(公告)号: CN108873625B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 黄杰 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: G03F7/30 分类号: G03F7/30
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 芯片 制造 光刻 工艺 中的 显影 装置
【说明书】:

发明公开了一种发光二极管芯片制造的光刻工艺中的显影装置,属于半导体技术领域。显影装置包括芯片装载容器、挂架和晃动机构,晃动机构包括第一气缸、第二气缸、第三气缸、第一平板和第二平板;第一平板和第二平板相对设置,第一气缸和第二气缸分别固定在第一平板和第二平板之间;第三气缸的活塞杆固定在第一平板上,第三气缸的缸体和第二平板分别位于第一平板的两侧,第三气缸位于第一气缸和第二气缸之间;芯片装载容器通过挂架固定在第二平板上,芯片装载容器和第一平板分别位于第二平板的两侧,挂架位于第一气缸和第二气缸之间。本发明显影充分,提升了芯片的成品率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种发光二极管芯片制造的光刻工艺中的显影装置。

背景技术

发光二极管(英文:Light Emitting Diode,简称:LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。芯片是LED的核心组件,光刻(英文:photolithography)工艺是包括LED芯片在内的半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到半导体器件上。

目前常用的显影方式是在半导体器件上铺设光刻胶并通过掩膜板对光刻胶进行曝光之后,驱动半导体器件旋转,同时向半导体器件铺设有光刻胶的表面喷洒显影液,使显影液落到光刻胶上溶解光刻胶中已曝光的部分(铺设的光刻胶为正性光刻胶)或者没有曝光的部分(铺设的光刻胶为负性光刻胶),形成一定图形的光刻胶。

在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:

显影液的喷洒情况、以及半导体器件的旋转速度对光刻胶的溶解情况影响很大,很容易造成光刻胶溶解不均匀,如显影不完全、光刻胶残留等。

发明内容

本发明实施例提供了一种发光二极管芯片制造的光刻工艺中的显影装置,能够解决现有技术光刻胶溶解不均匀的问题。所述技术方案如下:

本发明实施例提供了一种发光二极管芯片制造的光刻工艺中的显影装置,所述显影装置包括芯片装载容器、挂架和晃动机构,所述晃动机构包括第一气缸、第二气缸、第三气缸、第一平板和第二平板;所述第一平板和所述第二平板相对设置,所述第一气缸的缸体和所述第二气缸的缸体分别固定在所述第一平板上,所述第一气缸的活塞杆和所述第二气缸的活塞杆分别固定在所述第二平板上;所述第三气缸的活塞杆固定在所述第一平板上,所述第三气缸的缸体和所述第二平板分别位于所述第一平板的两侧,所述第一平板与所述第三气缸的连接处位于所述第一平板与所述第一气缸的连接处和所述第一平板与所述第二气缸的连接处之间;所述芯片装载容器通过所述挂架固定在所述第二平板上,所述芯片装载容器和所述第一平板分别位于所述第二平板的两侧,所述第二平板与所述挂架的连接处位于所述第二平板与所述第一气缸的连接处和所述第二平板与所述第二气缸的连接处之间。

可选地,所述挂架包括第一直杆、第二直杆和第三直杆,所述第一直杆、所述第二直杆和所述第三直杆位于同一平面上;所述第三直杆平行设置在所述第二平板上;所述第一直杆的第一端与所述第三直杆的第一端连接,所述第一直杆与所述第三直杆之间的夹角为锐角,所述第一直杆的第二端向远离所述第二平板的方向延伸;所述第二直杆的第一端与所述第三直杆的第二端连接,所述第二直杆与所述第三直杆之间的夹角为锐角,所述第二直杆的第二端向远离所述第二平板的方向延伸;所述芯片装载容器固定在所述第一直杆的第二端和所述第二直杆的第二端之间。

优选地,所述挂架采用弹性材料制成;所述挂架还包括V型杆,所述V型杆的第一端与所述第一直杆的中部连接,所述V型杆的第二端与所述第二直杆的中部连接,所述V型杆的V型开口朝向所述第三直杆。

更优选地,所述挂架采用的弹性材料为可溶性聚四氟乙烯。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电(浙江)有限公司,未经华灿光电(浙江)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810523409.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top