[发明专利]一种石墨炔类材料修饰隔膜的制备及其应用

权利要求书

1.一种制备石墨炔类材料修饰隔膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：将含有炔键的石墨炔或衍生物单体溶解在有机溶剂中，将商用隔膜作为基底在铜箔包裹下放置于反应溶液中在一定条件下使含有炔键的单体在铜催化下均匀沉积修饰在隔膜表面，然后经过洗净烘干得到石墨炔类材料修饰隔膜。

2.按权利要求1所述的石墨炔类材料修饰隔膜的制备方法，其特征在于：上述反应使用含有炔键的石墨炔单体或衍生物包括氢、卤素、氮、硫、磷、硼等其它杂元素取代石墨炔中的一种或几种。

3.按权利要求1所述的石墨炔类材料修饰隔膜的制备方法，其特征在于：以吡啶、三乙胺、丙酮、乙醇、石油醚、正己烷等有机溶剂中的一种或几种作为溶剂，在反应基体表面通过石墨炔单体在溶剂中的偶联反应制备在隔膜表面具有特定纳米形貌的石墨炔保护层。

4.按权利要求1所述的石墨炔类材料修饰隔膜的制备方法，其特征在于：上述反应所用的基体包括铜片、铜箔、铜线、铜网、铜粉、铜纳米颗粒等含铜基体，以及与前述含铜基体共同使用的聚乙烯、聚丙烯、聚酯膜、纤维素膜、聚酰亚胺膜、聚酰胺膜或玻璃纤维膜等锂硫电池用隔膜。

5.按权利要求1所述的石墨炔类材料修饰隔膜的制备方法，其特征在于：上述反应温度为10～120℃，优选为50℃；反应时间为1～72h，优选为12h；上述反应在氮气、氩气，氦气，氙气，氪气等惰性气体下进行，优选为氩气。

6.按权利要求1所述的石墨炔类材料修饰隔膜的制备方法，其特征在于：上述反应制备的修饰隔膜，表面石墨炔修饰层厚度在10nm-1μm之间。

7.按权利要求1所述的石墨炔类材料修饰隔膜在锂硫电池中的应用。