[发明专利]自动功率控制光点发射器有效
申请号: | 201810521808.2 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN110544876B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 黄忠民;谢佳宏;林俊廷;吴明倬;方铭辉 | 申请(专利权)人: | 华信光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/068 | 分类号: | H01S5/068 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人: | 郑永康 |
地址: | 中国台湾桃园市平*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自动 功率 控制 发射器 | ||
1.一种自动功率控制光点发射器,其特征在于,包括:
一基板;
一自动功率控制IC,其具有一检光二极管,并固定于该基板上,该自动功率控制IC设有一供应电压接点、一接地接点、一电流设定接点、一检光二极管输出接点及一激光二极管输出接点,该自动功率控制IC的电路架构还包括该供应电压接点串联耦接该检光二极管与并联耦接一电阻及一第一ESD电路,且该第一ESD电路并联耦接一接地端;一逻辑电路,分别串联耦接该电阻及该电流设定接点;一电流放大电路,串联耦接该检光二极管;一误差放大器,并联耦接该电流放大电路;一保护电路,并联耦接该误差放大器,并具有一参考电压单元、一过温保护单元及一低电压锁定单元;一电晶体,分别串联耦接该误差放大器、该激光二极管输出接点及该接地端;一电流监控电路,并联耦接该接地端;一第二ESD电路,分别并联耦接该电流设定接点及该接地端;一第三ESD电路,分别并联耦接该电流设定接点及该接地端;一可变电阻,分别串联耦接该检光二极管输出接点及该接地端;该激光二极管分别串联耦接该供应电压接点及该激光二极管输出接点;
一固定座,固定在该基板上;
一激光二极管,固定在该固定座上,并耦接该自动功率控制IC;
一光反射元件,固定在该激光二极管的前方;
一壳罩,其上依序具有一容置空间及一位于该容置空间上方的平台,并盖于该基板上,使该自动功率控制IC、该激光二极管及该光反射元件位于该壳罩内,且该容置空间及该平台位于该自动功率控制IC、该激光二极管及该光反射元件的上方;
一准直镜,固置在该壳罩的容置空间内,使该准直镜位于该自动功率控制IC、该激光二极管及该光反射元件的上方;以及
一绕射光学元件,黏着于该壳罩的平台上,使该绕射光学元件位于该准直镜的上方;
借此,该激光二极管投射一激光在该光反射元件上,使该光反射元件将该激光垂直射出于该准直镜至该绕射光学元件,让该绕射光学元件可产生数个光点,且该激光在该壳罩内经由反射产生一杂散光,并以该自动功率控制IC的检光二极管侦测该杂散光,形成一可读取的检光讯号,该检光讯号回授控制该激光二极管的输出而调整该激光所射出的功率比例,并以该激光所射出的功率比例而控制该绕射光学元件的各该光点发射。
2.根据权利要求1所述的自动功率控制光点发射器,其特征在于,所述自动功率控制IC的电路架构还包括一缓启动电路,用以防止启动时的过电流。
3.根据权利要求1所述的自动功率控制光点发射器,其特征在于,当所述逻辑电路判断该电流设定接点设定在高电平时,则该电流监控电路的电流值设定为100mA,或当该逻辑电路判断该电流设定接点设定在低电平时,则该电流监控电路的电流值设定为300mA。
4.根据权利要求1所述的自动功率控制光点发射器,其特征在于,当所述逻辑电路判断该电流设定接点设定在高电平时,则该参考电压单元的电压值设定为0.55V,及当该逻辑电路判断该电流设定接点设定在低电平时,则该参考电压单元的电压值设定为1.1V;该过温保护单元的温度值设定为大于165度及小于135度;该低电压锁定单元的电压值设定为小于2.3V及大于2.5V。
5.根据权利要求1所述的自动功率控制光点发射器,其特征在于,所述可变电阻的电阻值范围设定在35Kohm至1Kohm,该可变电阻的电阻值设定为6Kohm,而对应该检光二极管的电流值设定为90uA。
6.根据权利要求1所述的自动功率控制光点发射器,其特征在于,所述第一ESD电路、该第二ESD电路及该第三ESD电路的人体模型值设定为大于及等于2KV;该第一ESD电路、该第二ESD电路及该第三ESD电路的机械模型值设定为大于及等于200V。
7.根据权利要求1所述的自动功率控制光点发射器,其特征在于,所述基板具有一第一表面及相反侧的一第二表面,该第一表面设有一第一导电垫及该第二表面设有一第二导电垫,且该基板由电路板所构成,使该基板内形成内部导线,令该第一导电垫与第二导电垫相互耦接,该第一导电垫分别以数个外部导线耦接该自动功率控制IC与该激光二极管芯片及该第二导电垫耦接一外部电路。
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