[发明专利]触控显示屏的制作方法有效
申请号: | 201810519583.7 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108807470B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 冯校亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示屏 制作方法 | ||
本发明提供一种触控显示屏的制作方法,在一基板上依次形成薄膜晶体管层、OLED显示层以及薄膜封装层,在所述薄膜封装层上依次形成第一绝缘层、桥接层、第二绝缘层、触控电极层、以及保护层;采用多段式穿透率的掩膜板对所述第一绝缘层和所述第二绝缘层进行同一光罩制程,使所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化。有益效果:所述制作方法减少了光罩的数量,进而减少工艺制程步骤,降低制造成本;同时,工艺制程步骤的减少,也降低了与触控层相连接的引线暴露在空气中的时间,降低其被氧化的风险。
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域,尤其涉及一种触控显示屏的制作方法。
背景技术
在平板显示技术中,相较于LCD((Liquid Crystal Displays,液晶显示器),OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示器具有更薄、更省电,且视角宽的优势,随着显示技术的飞速发展,触控显示屏已遍及人们的生活中。
目前,比较常用的触控技术包括外挂式触控技术和内嵌式触控技术。目前比较常用的触控技术包括外挂式触控技术和内嵌式触控技术。内嵌式触控技术是指将触摸传感器集成到显示面板内部,由于内嵌式触控技术相比外挂式触控技术能够使显示装置更轻薄,因此内嵌式触控技术应于OLED显示装置更被关注;而外挂式触控技术是将触摸屏嵌入到显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间的方法,即在液晶面板上配触摸传感器,相比内嵌式触控技术难度降低不少。
现有的外挂式OLED触控显示屏的技术开发中,一般将触控层设置在OLED封装层上。所述触控层的具体结构包括:在OLED封装层上依次形成的第一绝缘层、桥接层、第二绝缘层、触控电极层、保护层。按照传统的工艺制作方式,在OLED上制作触控装置,尤其是在柔性OLED封装层上制作触控层时,一般会用到5道光罩制程,每一光罩制程都需要经过膜沉积、曝光、显影、蚀刻、剥离以及中间的水洗等制程。
综上所述,现有的触控显示屏的制作方法中,触控层制作技术用到的光罩制程数量较多,会增加成本,降低制程效率。
发明内容
本发明提供一种触控显示屏的制作方法,用以解决现有技术中制作触控层时使用光罩数量较多,生产效率低的问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种触控显示屏的制作方法,包括:
步骤S20,在薄膜封装层上沉积第一绝缘层;
步骤S30,在所述第一绝缘层表面形成桥接层;
步骤S40,在所述桥接层上沉积第二绝缘层;
步骤S50,使用光罩对所述第二绝缘层实施光罩制程,以使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化,以及在所述第二绝缘层中形成第一接触孔;
步骤S60,在所述第二绝缘层上形成触控电极层;
步骤S70,在所述触控电极层上形成保护层。
根据本发明一优选实施例,在所述步骤S20之前,所述在制作方法还包括:
步骤S10,提供一基板,在所述基板上依次形成薄膜晶体管层、OLED显示层以及所述薄膜封装层,其中,所述薄膜晶体管层上设置有触控引线。
根据本发明一优选实施例,所述触控显示屏包括第一显示区域和第二显示区域。
根据本发明一优选实施例,所述步骤S50包括:
步骤S51,在所述第二绝缘层表面涂布光刻胶;
步骤S52,利用一具有多段式穿透率的掩膜板对所述光刻胶进行曝光,经显影后,使所述光刻胶图案化,形成间隔的第一显影区域和第二显影区域,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的