[发明专利]触控显示屏的制作方法有效
申请号: | 201810519583.7 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108807470B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 冯校亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示屏 制作方法 | ||
1.一种触控显示屏的制作方法,其特征在于,包括:
步骤S20,在薄膜封装层上沉积第一绝缘层;
步骤S30,在所述第一绝缘层表面形成桥接层;
步骤S40,在所述桥接层上沉积第二绝缘层;
步骤S50,使用光罩对所述第二绝缘层实施光罩制程,以使得所述第一绝缘层和所述第二绝缘层图案化,以及在所述第二绝缘层中形成第一接触孔;所述触控显示屏包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的绝缘层进行一道蚀刻,所述第二显示区的绝缘层进行两道蚀刻;
步骤S60,在所述第二绝缘层上形成触控电极层;
步骤S70,在所述触控电极层上形成保护层;
所述步骤S50包括:
步骤S51,在所述第二绝缘层表面涂布光刻胶;
步骤S52,利用一具有多段式穿透率的掩膜板对所述光刻胶进行曝光,经显影后,部分去除第一显影区域中的光刻胶,完全去除第二显影区域中的光刻胶,
其中,所述第一显影区域位于所述第一显示区域,所述第二显影区域位于所述第二显示区域;
步骤S53,对所述第二显影区域进行蚀刻,使得所述第二显影区域对应的所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度总和等于所述第一显影区域对应的所述第二绝缘层的厚度;
步骤S54,对所述光刻胶进行灰化工艺处理,使得所述第一显影区域对应的所述光刻胶完全去除,其他未曝光区域的所述光刻胶的厚度减少;
步骤S55,对所述第一显影区域和所述第二显影区域进行蚀刻,以在所述第一显影区中形成贯穿所述第二绝缘层的第一接触孔,并去除所述第二显影区中剩下的第一绝缘层和第二绝缘层;
步骤S56,剥离所述光刻胶。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述步骤S20之前,所述制作方法还包括:
步骤S10,提供一基板,在所述基板上依次形成薄膜晶体管层、OLED显示层以及所述薄膜封装层,
其中,所述薄膜晶体管层上设置有触控引线。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述多段式穿透率掩膜板包括第一穿透率区域和第二穿透率区域,
其中,所述第一穿透率区域与所述第一显影区域对应,所述第二穿透率区域与所述第二显影区域对应。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述第一穿透率区域的透光率小于所述第二穿透率区域的透光率。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述第一穿透率区域为半曝光区域,所述第二穿透率区域为完全曝光区域。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述桥接层与所述触控电极层的制作顺序可进行互换。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述步骤S60包括:
步骤S61,在所述第二绝缘层上沉积所述触控电极层;
步骤S62,在所述第二绝缘层上涂布光刻胶;
步骤S63,对所述光刻胶进行曝光、显影后,使得所述光刻胶图案化;
步骤S64,对所述触控电极层进行蚀刻工艺,使得在所述触控电极层中形成第二接触孔;
步骤S65,剥离所述光刻胶。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述保护层的材料为无机绝缘材料或有机绝缘材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的