[发明专利]气体集成块结构、工艺腔室及半导体加工设备有效
申请号: | 201810515616.0 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN110534448B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 王勇飞;兰云峰;王帅伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 集成块 结构 工艺 半导体 加工 设备 | ||
1.一种气体集成块结构,用于设置在腔室本体上,以将工艺气体引入至所述腔室本体内,其特征在于,包括气体集成块主体和封堵机构,其中,
所述气体集成块主体上设有气体通道口,所述气体通道口用于将所述工艺气体引入至所述腔室本体内;
所述封堵机构能在腔室盖开启时封堵所述气体通道口,或者在所述腔室盖关闭时开启所述气体通道口;
所述封堵机构包括盖板组件、连杆组件和移动组件,其中,所述盖板组件通过所述连杆组件与所述移动组件连接;
所述移动组件能在所述腔室盖开启时移动至第一位置,或者在所述腔室盖关闭时移动至第二位置;
所述盖板组件能在所述移动组件位于所述第一位置时封堵所述气体通道口,或者,所述盖板组件能在所述移动组件位于所述第二位置时开启所述气体通道口。
2.根据权利要求1所述的气体集成块结构,其特征在于,所述移动组件包括第一导向柱、第一滚轮、导轨、支撑件和弹性件,其中,
所述第一导向柱竖直设置,所述第一导向柱的上端设置有所述第一滚轮,以与所述腔室盖的下表面保持可滚动的接触;
所述导轨相对于所述第一导向柱倾斜设置,所述导轨的上端与所述第一导向柱的下端连接;所述连杆组件与所述导轨连接,且能沿所述导轨移动;
所述支撑件与所述导轨的下端连接,所述弹性件设置在所述支撑件的下方,所述支撑件能在所述腔室盖关闭过程中使所述弹性件压缩变形。
3.根据权利要求2所述的气体集成块结构,其特征在于,所述连杆组件包括连接杆和滑动件,其中,
所述连接杆水平设置,所述连接杆的一端通过所述滑动件与所述导轨连接,所述连接杆的另一端与所述盖板组件连接;
所述滑动件能够沿所述导轨移动;在所述滑动件移动至所述导轨的上端时,所述连接杆带动所述盖板组件移动至开启所述气体通道口的位置,或者在所述滑动件移动至所述导轨的下端时,所述连接杆带动所述盖板组件移动至封堵所述气体通道口的位置。
4.根据权利要求3所述的气体集成块结构,其特征在于,所述盖板组件包括支撑柱、盖板和第二滚轮,其中,
所述支撑柱竖直设置,所述支撑柱的上端与所述盖板连接,所述支撑柱的下端与所述第二滚轮连接。
5.根据权利要求4所述的气体集成块结构,其特征在于,所述气体集成块主体包括本体,所述气体通道口位于所述本体的上表面;
所述本体的上表面设置有导向凹部,所述移动组件的所述第一导向柱位于所述导向凹部内;
所述本体的上表面且位于所述气体通道口的一侧形成第一凹部;所述本体的侧面设置有水平凸台,所述水平凸台的一侧设有第二凹部,所述第二凹部包括底面和坡面,所述底面、坡面与所述水平凸台的上表面平滑过渡形成滑轨。
6.根据权利要求5所述的气体集成块结构,其特征在于,在所述连接杆中设置有通孔,所述第二滚轮穿过所述通孔;
所述第二滚轮移动至所述底面时,所述盖板位于所述第一凹部中;所述第二滚轮移动至所述水平凸台的上表面时,所述盖板移出所述第一凹部,且所述盖板的下表面不低于所述本体的上表面。
7.根据权利要求2所述的气体集成块结构,其特征在于,所述移动组件还包括第二导向柱和套筒,其中,
所述第二导向柱竖直设置,且所述第二导向柱的上端与所述支撑件的底部连接;并且,所述第二导向柱位于所述套筒中;
所述套筒的上端与所述气体集成块主体的底部连接;所述弹性件设置在所述套筒中。
8.一种工艺腔室,包括腔室本体和相对于所述腔室本体可开合的腔室盖,其特征在于,还包括如权利要求1-7任意一项所述的气体集成块结构,所述气体集成块结构设置在所述腔室本体上;
气体通道口朝向所述腔室盖,封堵机构能在所述腔室盖开启时封堵气体通道口,或者在腔室盖关闭时开启气体通道口。
9.一种半导体加工设备,其特征在于,包括权利要求8所述的工艺腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造