[发明专利]带异物检测功能的基板吸附设备及异物检测方法有效
申请号: | 201810515415.0 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN108630586B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 高攀 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中华 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异物 检测 功能 吸附 设备 方法 | ||
本发明提供了一种带异物检测功能的基板吸附设备及异物检测方法。所述带异物检测功能的基板吸附设备通过在对应基板中心点的第一顶针上安装信号收发装置,通过信号收发装置发射检测信号,并根据检测信号的反射情况,判断基板的背面是否存在异物,从而在真空吸附之前对基板的背面进行异物检测,防止因异物导致制程不良或破片。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种带异物检测功能的基板吸附设备及异物检测方法。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)和有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode,OLED)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
以液晶显示面板为例,通常液晶显示面板由彩膜基板(CF,Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT,Thin Film Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动;中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。
在液晶显示器和有机发光二极管显示器的制作过程中,均包括光阻涂布和基板曝光等制程,这些制程在进行时,均需要将基板通过真空吸附固定在真空吸附平台上,使得基板在制程过程中保持在准确的固定位置,保证光阻涂布或曝光时图形转印的完整性和精确性,避免基板在制程过程中发生移位。
现有技术在进行光阻涂布和基板曝光前通常都会通过光电传感器对基板的正面进行异物检测,以防止异物影响制程良率,而对基板的背面可能存在的异物却缺少检测,但实际上基板的背面的异物也会对制程良率造成负面影响,具体表现在基板真空吸附时,由于基板的背面异物的影响,可能会导致真空吸附失败或真空吸附程度不一致,使得基板各部分高度存在差异,影响涂布和曝光精度,当异物粒径较大时,由于吸真空时基板的区域受力不均还可能会发生破片,从而造成机台机构损伤,影响产能推进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带异物检测功能的基板吸附设备,能够在真空吸附之前对基板的背面进行异物检测,防止因异物导致制程不良或破片。
本发明的目的还在于提供一种异物检测方法,能够在真空吸附之前对基板的背面进行异物检测,防止因异物导致制程不良或破片。
为实现上述目的,本发明提供了一种带异物检测功能的基板吸附设备,包括:真空吸附平台、设于所述真空吸附平台上的一个第一顶针、设于所述真空吸附平台上的均匀分布于所述第一顶针四周的多个第二顶针、安装于所述第一顶针上的能围绕第一顶针旋转的信号收发装置以及与所述第一顶针、第二顶针及信号收发装置电性连接的控制模块,所述第一顶针和第二顶针均能沿垂直于所述真空吸附平台的方向进行升降。
所述信号收发装置为电磁信号收发装置、光电信号收发装置或脉冲信号收发装置。
所述第一顶针和第二顶针的材料均为特氟龙或环氧树脂。
所述第二顶针的数量为24个,所述24个第二顶针与第一顶针共同排列成5行5列且所述第一顶针位于第3行第3列。
本发明还提供一种异物检测方法,应用于上述的带异物检测功能的基板吸附设备,包括如下步骤:
提供一基板,所述控制模块控制所述第一顶针和第二顶针升起,将基板放置到所述第一顶针和第二顶针上,且所述基板的中心点对应位于所述第一顶针上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造