[发明专利]带异物检测功能的基板吸附设备及异物检测方法有效
申请号: | 201810515415.0 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN108630586B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 高攀 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中华 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异物 检测 功能 吸附 设备 方法 | ||
1.一种带异物检测功能的基板吸附设备,其特征在于,包括:真空吸附平台(1)、设于所述真空吸附平台(1)上的一个第一顶针(2)、设于所述真空吸附平台(1)上的均匀分布于所述第一顶针(2)四周的多个第二顶针(3)、安装于所述第一顶针(2)上的能围绕第一顶针(2)旋转的信号收发装置(4)以及与所述第一顶针(2)、第二顶针(3)及信号收发装置(4)电性连接的控制模块(5),所述第一顶针(2)和第二顶针(3)均能沿垂直于所述真空吸附平台(1)的方向进行升降。
2.如权利要求1所述的带异物检测功能的基板吸附设备,其特征在于,所述信号收发装置(4)为电磁信号收发装置、光电信号收发装置或脉冲信号收发装置。
3.如权利要求1所述的带异物检测功能的基板吸附设备,其特征在于,所述第一顶针(2)和第二顶针(3)的材料均为特氟龙或环氧树脂。
4.如权利要求1所述的带异物检测功能的基板吸附设备,其特征在于,所述第二顶针(3)的数量为24个,所述24个第二顶针(3)与第一顶针(2)共同排列成5行5列且所述第一顶针(2)位于第3行第3列。
5.一种异物检测方法,其特征在于,应用于如权利要求1至4任一项所述的带异物检测功能的基板吸附设备,包括如下步骤:
提供一基板(10),所述控制模块(5)控制所述第一顶针(2)和第二顶针(3)升起,将基板(10)放置到所述第一顶针(2)和第二顶针(3)上,且所述基板(10)的中心点对应位于所述第一顶针(2)上;
所述控制模块(5)控制所述信号收发装置(4)发出检测信号,同时所述信号收发装置(4)围绕所述第一顶针(2)旋转,所述检测信号贴合所述基板(10)的背面传播;
所述信号收发装置(4)接收到反射回的检测信号时,控制模块(5)判定基板(10)的背面存在异物,并根据检测信号的发出与接收的时间间隔以及信号收发装置(4)的当前旋转角度判定所述异物的位置;
在每一轮检测信号的发射时间内,所述控制模块(5)进行异物判断时,还剔除该一轮检测信号发射时间内,处于升起状态的各个顶针组的第二顶针(3)反射回的检测信号,以避免误判。
6.如权利要求5所述的异物检测方法,其特征在于,在进行所述控制模块(5)控制所述信号收发装置(4)发出检测信号,同时所述信号收发装置(4)围绕所述第一顶针(2)旋转的步骤的同时还进行以下步骤:提供一光电传感器(7),通过所述光电传感器(7)向所述基板(10)的正面发射光信号,以根据所述基板(10)反射回来光信号的强度变化检测所述基板(10)的正面是否存在异物。
7.如权利要求5所述的异物检测方法,其特征在于,所述控制模块(5)控制所述信号收发装置(4)发出检测信号,同时所述信号收发装置(4)围绕所述第一顶针(2)旋转的步骤具体包括:
将所述第二顶针(3)分为N个顶针组,每一个顶针组均包括多个第二顶针(3),同一个顶针组中的多个第二顶针(3)均匀分布于所述第一顶针(2)的四周,且不同顶针组中的两第二顶针(3)与第一顶针(2)分布于不共线的三点,N为大于1的正整数;
进行N轮检测信号的发射,在每一轮检测信号的发射时间内,所述信号收发装置(4)围绕所述第一顶针(2)旋转一周,所述多个顶针组中的一个顶针组下降;在不同轮的检测信号的发射时间内,下降的顶针组不同。
8.如权利要求5所述的异物检测方法,其特征在于,所述异物检测方法的检测精度大于0.1um。
9.如权利要求5所述的异物检测方法,其特征在于,剔除被第二顶针(3)反射回的检测信号后,所述信号收发装置(4)未接收到其他被反射回的检测信号时,判定基板(10)的背面无异物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造