[发明专利]一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法

说明书

本发明公开了一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法，以提高显示基板的产品良率，以及显示装置的分辨率。显示基板，包括：基板以及设置于基板上的呈阵列排布的多个像素单元，其中：像素单元包括沿远离基板方向依次设置的发光二极管、连接金属以及薄膜晶体管；连接金属与发光二极管的顶电极导电连接；薄膜晶体管的有源层与连接金属绝缘间隔，薄膜晶体管的漏极与连接金属导电连接。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法。

背景技术

Micro-LED(Micro Light-Emitting Diode，微型发光二极管)技术，即发光二极管微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。

Micro-LED优点表现的很明显，它继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、结构简易、体积小、薄型等优势。除此之外，由于Micro LED超微小，因此其表现出超高的解析度。

而相比OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)，Micro-LED色彩更容易准确的调试，有更长的发光寿命和更高的亮度以及具有较佳的材料稳定性、寿命长、无影像烙印等优点。故为继OLED之后另一具轻薄及省电优势的显示技术。

现有技术存在的问题在于：由于Micro-LED器件在制作时需要外延层，外延层要求比较高，只能在硅片或者蓝宝石上制作。现有技术无法实现在薄膜晶体管控制电路上直接制作LED。目前的Micro-LED器件大部分是分别制作LED和薄膜晶体管控制电路然后再对位贴合，由于对位贴合会损失一定的精度，因此不利于高分辨率的面板制作。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法，以提高显示基板的产品良率，以及显示装置的分辨率。

本发明实施例提供一种显示基板，包括：基板以及设置于所述基板上的呈阵列排布的多个像素单元，其中：

所述像素单元包括沿远离所述基板方向依次设置的发光二极管、连接金属以及薄膜晶体管；

所述连接金属与所述发光二极管的顶电极导电连接；

所述薄膜晶体管的有源层与所述连接金属绝缘间隔，所述薄膜晶体管的漏极与所述连接金属导电连接。

本技术方案的显示基板，由于其发光二极管制作于基板上，在制作显示基板的薄膜晶体管时，将制作完薄膜晶体管的有源层未图案化的基板与发光二极管基板直接贴合，再将薄膜晶体管制作于发光二极管上，由于连接金属与发光二极管的顶电极导电连接，薄膜晶体管的漏极与连接金属导电连接，因此薄膜晶体管的漏极与发光二极管的顶电极导电连接。相比现有技术，本技术方案的显示基板在制作时，不需要将制作好的发光二极管对位贴合于薄膜晶体管。这样就可以避免对位精度的损失，从而可以将发光二极管的尺寸做的更小，以制作出超高分辨率的显示装置。

可选的，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

可选的，所述低温多晶硅薄膜晶体管具体包括沿远离所述连接金属方向依次设置的第一缓冲层、低温多晶硅有源层、第二缓冲层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极，其中：

所述源极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第一过孔与所述低温多晶硅有源层连接；所述漏极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第二过孔与所述低温多晶硅有源层连接，且所述漏极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第三过孔与所述连接金属导电连接。