[发明专利]一种显示基板、显示装置以及显示基板的制作方法有效
申请号: | 201810510492.7 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108493209B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 康昭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 以及 制作方法 | ||
1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,所述显示基板包括:基板以及设置于所述基板上的呈阵列排布的多个像素单元,其中:
所述像素单元包括沿远离所述基板方向依次设置的发光二极管、连接金属以及薄膜晶体管;
所述连接金属与所述发光二极管的顶电极导电连接;
所述薄膜晶体管的有源层与所述连接金属绝缘间隔,所述薄膜晶体管的漏极与所述连接金属导电连接;
所述制作方法包括:
在第一侧基板之上依次形成发光二极管和覆盖发光二极管的第一金属层;
在第二侧基板之上依次形成薄膜晶体管的有源材料层和第二金属层;
将第一侧基板上的第一金属层与第二侧基板上的第二金属层相面对贴合联结;
将第二侧基板与有源材料层剥离;
对贴合联结的第一金属层和第二金属层进行刻蚀,形成与所述发光二极管的顶电极导电连接的连接金属的图案;
在完成上述所有步骤的第一侧基板上制作形成薄膜晶体管,薄膜晶体管的漏极与连接金属导电连接。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述低温多晶硅薄膜晶体管具体包括:
沿远离所述连接金属方向依次设置的第一缓冲层、低温多晶硅有源层、第二缓冲层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极,其中:
所述源极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第一过孔与所述低温多晶硅有源层连接;所述漏极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第二过孔与所述低温多晶硅有源层连接,且所述漏极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第三过孔与所述连接金属导电连接。
4.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述低温多晶硅薄膜晶体管具体包括:
沿远离所述连接金属方向依次设置的第一缓冲层、低温多晶硅有源层、栅极绝缘层、漏极、栅极、层间绝缘层和源极,其中:
所述源极通过所述栅极绝缘层以及所述层间绝缘层上的第一过孔与所述低温多晶硅有源层连接;所述漏极设置于所述低温多晶硅有源层远离所述第一缓冲层的一侧,且与所述连接金属导电连接。
5.如权利要求1~4任一项所述的制作方法,其特征在于,
所述显示基板还包括沿远离所述薄膜晶体管方向依次设置的第一平坦化层、白荧光层、滤光层以及第二平坦化层,所述滤光层包括对应每个所述像素单元的彩色光阻以及界定相邻所述彩色光阻的黑矩阵。
6.如权利要求1~4任一项所述的制作方法,其特征在于,所述发光二极管为蓝光发光二极管;
所述显示基板还包括沿远离所述薄膜晶体管方向依次设置的第一平坦化层、量子点材料结构层以及第二平坦化层,所述量子点材料结构层包括对应每个所述像素单元的第一彩色光区、第二彩色光区以及第三彩色光区,以及界定相邻所述第一彩色光区、所述第二彩色光区以及所述第三彩色光区的黑矩阵,所述第一彩色光区设置有绿光量子点材料结构层,所述第二彩色光区设置有红光量子点材料结构层。
7.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管,在第一侧基板上制作形成薄膜晶体管具体包括:
将有源材料层刻蚀形成与连接金属绝缘间隔的有源层;
在有源层上形成栅极绝缘层;
在栅极绝缘层上形成栅极图案;
在所述栅极图案上形成层间绝缘层;
在栅极绝缘层以及层间绝缘层上形成用于源极与有源层导电连接的第一过孔;
在栅极绝缘层以及层间绝缘层上形成用于漏极与有源层导电连接的第二过孔,并形成用于漏极与连接金属导电连接的第三过孔;
在层间绝缘层上形成源极图案和漏极图案。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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