[发明专利]顶发光OLED的阳极结构、显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201810498659.2 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN110534659B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 杨明伦 | 申请(专利权)人: | 昆明申北科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人: | 和琳 |
地址: | 650000 云南省昆明市五华区学府路6*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 oled 阳极 结构 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本公开提供了一种顶发光OLED的阳极结构、显示装置及其制造方法,该阳极结构包括基底以及于基底表面依次堆叠设置的防扩散欧姆接触粘结层、反射金属层、抗腐蚀防扩散层以及能级匹配层,可与基底表面的驱动电路互联的材料可以提供良好的欧姆接触、粘附性、延展性和防扩散性,减少因粘附性差和应力集中导致的膜层卷曲脱落,防止因反射金属层材料扩散导致的驱动电路短路;抗腐蚀防扩散层,可保护反射层在工艺过程中免于腐蚀变质,同时还应有很高的防扩散性能,阻止反射金属层和能级匹配层的材料之间相互渗透;而能级匹配层能够提供较高的功函数,并且由于该堆叠的阳极结构还能保证在后续OLED器件、以及显示装置的制备工艺流程中不易劣化。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种顶发光OLED的阳极结构、显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光器件,例如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)由于其具备自发光、对比度高、厚度薄、反应速度快等特性,因此当前被广泛应用于显示领域。
相关技术中,OLED器件分为底发光OLED和顶发光OLED,由于顶发光式OLED器件相对于底发光式OLED器件具有较高的开口率,因此成为近年来研究热点。目前顶发光式OLED器件对于阳极性能的要求主要有高功函数及高反射率以提升光的利用率和空穴注入效率,以便进而提升OLED显示器的发光效率。在此基础上,OLED器件的阳极结构还需要进一步考虑阳极制作过程中以及后续OLED器件制备工艺流程中不易劣化,因此阳极结构的设计、材料的选择以及制作工艺均极为关键。
发明内容
本公开实施例提供了一种顶发光OLED的阳极结构、显示装置及其制造方法,以提高OLED的性能。所述技术方案如下:
根据本公开实施例的第一方面,提供一种顶发光OLED的阳极结构,包括基底以及于基底表面依次堆叠设置的防扩散欧姆接触粘结层、反射金属层、抗腐蚀防扩散层以及能级匹配层。
可选的,所述防扩散欧姆接触粘结层材料为铌、铬、镍、钛中的一种、两种或两种以上与钼的合金,所述防扩散欧姆接触粘结层厚度为1nm-100nm;
所述反射金属层材料为铂、铝、银、铜中的一种、两种或两种以上的合金,所述反射金属层厚度为30nm-100nm;
所述抗腐蚀防扩散层材料为铑、钛、镍、钌、铌、金中的一种、两种或两种以上与钯的合金,所述抗腐蚀防扩散层厚度为3nm-50nm;
所述能级匹配层材料为铂、铱、镍中的一种、两种或两种以上的合金,所述能级匹配层的厚度为1nm-80nm。
可选的,所述防扩散欧姆接触粘结层材料为镍钼合金,所述镍钼合金中镍与钼的原子比为1:2,厚度为15nm;
所述反射金属层材料为铂,厚度为40nm;
所述抗腐蚀防扩散层材料为钯钛合金,所述钯钛合金的原子比为1:2,厚度为6nm;
所述能级匹配层材料为铂,厚度为6nm;
或者,所述防扩散欧姆接触粘结层材料为铌钼合金,所述铌钼合金中铌与钼的原子比为1:1,厚度为20nm;
所述反射金属层材料为铂,厚度为40nm;
所述抗腐蚀防扩散层材料为钯钌合金,所述钯钌合金的原子比为1:3,厚度为6nm;
所述能级匹配层材料为铱,厚度为7nm。
根据本公开实施例的第二方面,提供一种显示装置,包括多个顶发光OLED,所述顶发光OLED包括如上所述的阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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