[发明专利]并行测试结构有效

专利信息
申请号: 201810494223.6 申请日: 2018-05-22
公开(公告)号: CN109427603B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 沈添;A·库马尔;宋云成;K·B·耶普;R·G·小菲利皮;曹琳珺;S·乔伊;C·J·克里斯琴森;P·R·朱斯蒂孙 申请(专利权)人: 格芯(美国)集成电路科技有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 并行 测试 结构
【权利要求书】:

1.一种用于并行测试在集成电路芯片上的半导体装置的装置,包括:

电压源,与包含被测装置的集成电路连接,该电压源通过在该被测装置上执行时间相关介电击穿测试以向包含该被测装置的该集成电路提供测试电压;

电流测量装置,测量该被测装置的漏电流;

解码器,与该被测装置连接,该解码器选择性将各被测装置连接至该电流测量装置;

电子熔丝,各该电子熔丝与该被测装置中不同的一个连接,当相应被测装置失效时,该电子熔丝将各该被测装置与该电压源单独电性断开;

电阻器,各该电阻器与该电子熔丝中不同的一个连接,在该时间相关介电击穿测试的应力条件下,该电阻器提供至地的低电阻路径;以及

保护电路,连接于该电子熔丝与接地之间,当该被测装置失效时,各保护电路在该解码器周围提供至地的电性路径,其中,该电性路径引导电流离开该电压源以保护该电压源。

2.如权利要求1所述的装置,其中,该解码器与该被测装置位于相同集成电路芯片上。

3.如权利要求1所述的装置,其中,该解码器顺序选择各被测装置以测量漏电流且该电流测量装置单独测量各被测装置的漏电流。

4.如权利要求1所述的装置,其中,该电子熔丝及该电阻器的至少其中之一与该被测装置位于相同集成电路芯片上。

5.如权利要求1所述的装置,还包括:

通道晶体管,连接于该电子熔丝与该电流测量装置之间,其中,该解码器通过开启各通道晶体管顺序选择各被测装置以测量漏电流,以及其中,当开启该通道晶体管时,该电阻器经设置以迫使电流流经该电流测量装置。

6.如权利要求1所述的装置,该保护电路还包括静电放电二极管。

7.一种用于并行测试在集成电路芯片上的半导体装置的电路,包括:

电压源;

电流测量装置;

被测装置,与该电压源连接;

通道晶体管,连接于各被测装置与该电流测量装置之间;

解码器,向各通道晶体管选择性提供通过信号,该解码器选择一供测试的装置,其中,该解码器通过开启各通道晶体管顺序选择各供测试的装置以利用该电流测量装置测量漏电流;

电子熔丝,各该电子熔丝在被测装置与相应通道晶体管之间与该被测装置中不同的一个连接,当相应被测装置失效时,该电子熔丝将该被测装置的电路与该电压源断开;

电阻器,各该电阻器与该电子熔丝中不同的一个连接,该电阻器在时间相关介电击穿测试的应力条件下提供至地的低电阻路径并在开启该通道晶体管时迫使电流流经该电流测量装置;以及

保护电路,连接于该电子熔丝与接地之间,当该被测装置失效时,各保护电路将该解码器与该被测装置电性隔离。

8.如权利要求7所述的电路,其中,该解码器与该被测装置位于相同集成电路芯片上。

9.如权利要求7所述的电路,其中,该解码器产生信号以单独选择各被测装置。

10.如权利要求9所述的电路,其中,该解码器顺序选择各供测试的装置以测量漏电流并略过已知的失效装置。

11.如权利要求7所述的电路,其中,该电子熔丝及该电阻器的至少其中之一与该被测装置位于相同集成电路芯片上。

12.如权利要求7所述的电路,该电流测量装置测量该被测装置的漏电流。

13.如权利要求7所述的电路,该保护电路还包括静电放电二极管。

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