[发明专利]一种硅晶圆刻蚀装置

说明书

本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种硅晶圆刻蚀装置，包括电机、转盘、壳体和激励线圈，还包括晶圆固定模块和气体注入模块，所述的电机安装在壳体的正上方；所述的转盘安装在电机的电机轴上；所述的激励线圈环绕在壳体的外圈；所述的晶圆固定模块安装在转盘的下方，晶圆固定模块用于固定晶圆和通入干燥的热空气；所述的气体注入模块安装在壳体的底部，气体注入模块用于向壳体内通入刻蚀气体。本发明主要用于批量对晶圆进行刻蚀，本设备刻蚀的效率高，批量刻蚀速度快，对刻蚀气体方向可调节，刻蚀的精度高，刻蚀的更加均匀，提高产品的质量。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种硅晶圆刻蚀装置。

背景技术

刻蚀技术(etching technique)，是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。干刻蚀基本上包括离子轰击(ion-bombardment)与化学反应(chemical reaction)两部份刻蚀机制。偏离子轰击效应者使用氩气(argon)，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏化学反应效应者则采氟系或氯系气体(如四氟化碳CF4)，经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。

现有技术中也出现了一些晶圆刻蚀的技术方案，如申请号为201410356255.1的一项中国专利公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法。其中刻蚀装置包括反应腔；晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。但技术方案对晶圆刻蚀的精度不高，对晶圆的刻蚀不均匀，影响产品的质量，不能实现批量刻蚀，刻蚀效率慢。

鉴于此，本发明所述的一种硅晶圆刻蚀装置，可以提高晶圆刻蚀精度和均匀度，批量刻蚀，提高晶圆的刻蚀效率。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，本发明提出了一种硅晶圆刻蚀装置，本发明主要用于批量对晶圆进行刻蚀，本设备刻蚀的效率高，通过晶圆固定模块实现批量刻蚀，刻蚀速度快，晶圆固定模块还能通入干燥的热空气，进一步加快刻蚀效率，通过气体注入模块对刻蚀气体方向可调节，刻蚀的精度高，刻蚀的更加均匀，提高产品的质量。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种硅晶圆刻蚀装置，包括电机、转盘、壳体和激励线圈，还包括晶圆固定模块和气体注入模块，所述的电机安装在壳体的正上方；所述的转盘安装在电机的电机轴上；所述的激励线圈环绕在壳体的外圈；所述的晶圆固定模块安装在转盘的下方，晶圆固定模块用于固定晶圆和通入干燥的热空气；所述的气体注入模块安装在壳体的底部，气体注入模块用于向壳体内通入刻蚀气体。

所述的转盘内开设有通道，通道数量为四，转盘内还开设有圆柱形空心腔室，圆柱形空心腔室数量为四，转盘还开设有凹槽一和圆柱形空心腔室相通，转盘上还安装有T型插销，T型插销上设有凸起。当需要将固定头取出时，将T型插销向上推动，将滑块顶出凹槽一内，即可取出固定头。