[发明专利]一种硅晶圆刻蚀装置有效
申请号: | 201810493977.X | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN108682640B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 徐亚琴;李保振 | 申请(专利权)人: | 苏州因知成新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 | 代理人: | 国红 |
地址: | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅晶圆 刻蚀 装置 | ||
1.一种硅晶圆刻蚀装置,包括电机(1)、转盘(2)、壳体(3)和激励线圈(4),其特征在于:还包括晶圆固定模块(5)和气体注入模块(6),所述的电机(1)安装在壳体(3)的正上方;所述的转盘(2)安装在电机(1)的电机轴上;所述的激励线圈(4)环绕在壳体(3)的外圈;所述的晶圆固定模块(5)安装在转盘(2)的下方,晶圆固定模块(5)用于固定晶圆和通入干燥的热空气;所述的气体注入模块(6)安装在壳体(3)的底部,气体注入模块(6)用于向壳体(3)内通入刻蚀气体;
所述的转盘(2)内开设有通道,通道数量为四,转盘(2)内还开设有圆柱形空心腔室,圆柱形空心腔室数量为四,转盘(2)还开设有凹槽一和圆柱形空心腔室相通,转盘(2)上还安装有T型插销(21),T型插销(21)上设有凸起。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述的晶圆固定模块(5)包括固定头(51)、弹簧(52)、滑块(53)、固定板(54)、扇形齿轮一(55)、扇形齿轮二(56)、压紧块(57)和夹紧块一(58),所述的固定头(51)内开设有通道,固定头(51)安装在转盘(2)的圆柱形空心腔室内,固定头(51)的通道和转盘(2)内的通道相通,固定头(51)开设有凹槽二;所述的弹簧(52)的一端固定安装在凹槽二上;所述的滑块(53)固定连接在弹簧(52)的另一端上;所述的固定板(54)安装在固定头(51)上,固定板(54)上开设有通道,固定板(54)上的通道和固定头(51)上的通道相通,固定板(54)上还开设有凹槽三,固定板(54)上还安装有夹紧块二(59);所述的扇形齿轮一(55)安装在凹槽三内;所述的扇形齿轮二(56)安装在凹槽三内,扇形齿轮二(56)和扇形齿轮一(55)啮合,扇形齿轮二(56)内安装有扭簧;所述的压紧块(57)安装在扇形齿轮一(55)上;所述的夹紧块一(58)安装在扇形齿轮二(56)上。
3.根据权利要求2所述的一种硅晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述的固定板(54)内置有加热电阻丝,对通道内的干燥热空气进一步加热,固定板(54)上还开设有通孔,通孔和固定板(54)上的通道相连,该通孔为阶梯孔(60)。
4.根据权利要求1所述的一种硅晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述的气体注入模块(6)包括气体注入管(61)、半球形壳罩(62)和扇叶(63),所述的气体注入管(61)位于壳体(3)的底部;所述的半球形壳罩(62)通过轴承转动安装在气体注入管(61)的上端,半球形壳罩(62)上均匀开设有开孔;所述的扇叶(63)通过支杆(66)安装在半球形壳罩(62)上。
5.根据权利要求4所述的一种硅晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述的扇叶(63)内开设有圆柱形空心腔室二(64),扇叶(63)上还开设有圆形通孔,圆形通孔和圆柱形空心腔室二(64)相通;所述的圆柱形空心腔室二(64)内安装有圆盖(65)、支杆(66)、转盘二(67)和电机二,所述的圆盖(65)盖在圆形通孔上;所述的转盘二(67)安装在圆柱形空心腔室二(64)内;所述的支杆(66)连接转盘二(67)和圆盖(65);所述的电机二和转盘二(67)固定连接。
6.根据权利要求4所述的一种硅晶圆刻蚀装置,其特征在于:所述的半球形壳罩(62)上还安装有半圆锥板(68)、圆销、绳子(69)和微型电机(70),所述的半圆锥板(68)圆销铰接在半球形壳罩(62)上,半圆锥板(68)上安装有磁块;所述的圆销内设有扭簧;所述的绳子(69)一端和半圆锥板(68)连接;所述的微型电机(70)安装在半球形壳罩(62)上,微型电机(70)的电机轴和绳子(69)的另一端固定连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造