[发明专利]OLED背板的制作方法及OLED背板

说明书

本发明提供一种OLED背板的制作方法及OLED背板。本发明的OLED背板的制作方法通过在像素定义层上形成像素开口和对应位于有源层上方的遮光槽，然后采用喷墨打印的方式在像素开口内形成OLED发光功能层以及在遮光槽内形成完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且工艺简单，生产成本低。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED背板的制作方法及OLED背板。

背景技术

平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。

LCD显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。OLED显示装置是主动发光的显示器，具有自发光、高对比度、宽视角、快速响应、高发光效率、低操作电压、超轻薄等优势，具有更优异的彩色显示画质、更宽广的观看范围和更大的设计灵活性。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置和驱动装置用在诸如LCD显示装置与OLED显示装置中。

金属氧化物半导体TFT技术是当前的热门技术，金属氧化物半导体由于具有较高的电子迁移率，而且与低温多晶硅(LTPS)相比，金属氧化物半导体TFT的制程简单，与非晶硅(a-Si)TFT的制程相比相容性较高，可应用于LCD显示装置与OLED显示装置中，适用于大小尺寸显示，具有良好的应用发展前景，为当前业界研究热门。

由于金属氧化物半导体对光比较敏感，因此金属氧化物半导体受到光线照射后，金属氧化物半导体TFT的阈值电压明显负移，现有一种改进的方法是在金属氧化物半导体材料的有源层下方设置金属遮光层，消除光照引起的TFT阈值电压负漂现象，金属遮光层虽然不与TFT结构中其它带电结构层相连，但是其容易受到其它带电结构层上的电压影响，从而携带上各种电压，由于金属遮光层具有变化不定的电压，因此TFT在工作时其阈值电压会不断变化，导致TFT工作不稳定。

OLED具有依次形成于基板上的阳极、有机功能层和阴极。目前，OLED各功能材料层与阴极金属层薄膜均通过真空热蒸镀工艺制备，即在真空腔体内加热有机小分子材料，使其升华或者熔融气化成材料蒸汽，透过金属掩膜板(Mask)的开孔沉积在玻璃基板上。但由于真空热蒸发制备成本高，限制了OLED显示器的大范围商业化。

喷墨打印(Ink-jet Print，IJP)技术具有材料利用率高等优点，是解决大尺寸OLED显示器成本问题的关键技术，IJP技术在OLED器件发光层的制备中，相比于传统的真空蒸镀工艺，具有节省材料、制程条件温和、成膜更均匀等诸多优点，所以更具应用潜力。此方法是利用多个喷嘴将功能材料墨水滴入预定的像素区域，待溶剂挥发后形成所需图案。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED背板的制作方法，通过在像素定义层上对应于有源层的上方开设遮光槽，并在遮光槽内形成完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且工艺简单，生产成本低。

本发明的目的在于提供一种OLED背板，其像素定义层在对应于有源层的上方设有遮光槽，所述遮光槽内设有完全覆盖有源层的黑色遮光块，可有效避免TFT器件受到光照影响，保证TFT器件的特性，且结构简单，生产成本低。

为实现上述目的，本发明提供一种OLED背板的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT层，在所述TFT层上形成平坦化层，在所述平坦化层上形成数个像素电极；