[发明专利]测量芯片的曲率的方法和测量芯片的曲率的装置

说明书

提供测量芯片的曲率的方法和测量芯片的曲率的装置，测量芯片破坏时的曲率。该方法对在芯片的弯折试验中芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，具有：芯片保持步骤，将芯片的一端侧的第一区域保持在第一保持单元的支承面上，将芯片的另一端侧的第二区域保持在第二保持单元的支承面上；第一移动步骤，使第一保持单元与第二保持单元相对移动，以便使芯片的第一区域与第二区域之间的测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使第一保持单元的支承面与第二保持单元的支承面面对；第二移动步骤，使第一保持单元与第二保持单元向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测步骤，检测芯片被破坏的情况；和曲率检测步骤，对检测到芯片破坏时的测量区域的曲率进行检测。

技术领域

本发明涉及对芯片的抗折强度进行评价时测量芯片的曲率的方法以及对芯片的抗折强度进行评价时测量芯片的曲率的装置。

背景技术

在半导体晶片的正面上按照呈格子状排列的方式设定有多条分割预定线，在由该分割预定线划分的各区域分别形成有IC或LSI等器件。并且，当沿着该分割预定线对该半导体晶片进行分割时，形成具有器件的各个芯片。

当对半导体晶片或芯片施加较大的冲击时，有时产生裂纹、碎裂等损伤而丧失器件的功能。因此，为了开发出具有规定的水准的抗折强度的芯片，对半导体晶片或试制的芯片的抗折强度进行测量。对抗折强度进行评价的方法例如有SEMI(SemiconductorEquipment and Materials International：国际半导体设备与材料产业协会)标准G86-0303中规定的三点弯曲(3-Point Bending)法。

例如在利用三点弯曲法对半导体晶片的抗折强度进行测量的情况下，将两个圆柱状的支承体放倒并相互平行地排列，将作为测量对象的半导体晶片相对于该支承体不固定地载置在该支承体的侧面上。并且，将圆柱状的压头配置在该两个支承体之间的该半导体晶片的上方且与该两个支承体平行。然后，通过该压头从上方对该半导体晶片进行按压而将其破坏，将此时施加在该半导体晶片的载荷作为强度进行测量(参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2014-222714号公报

近年来，电子设备等的小型化和薄型化的趋势显著。与此相伴，搭载于该电子设备等的芯片的小型化和薄型化的趋势也显著，例如制造厚度为30μm以下的极薄芯片。当为了对该极薄芯片的抗折强度进行评价而想要利用三点弯曲法实施测量时，产生下述问题：测量时即使利用压头对芯片进行按压，芯片也仅发生挠曲而无法将芯片破坏，从而无法对抗折强度进行测量。

发明内容

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供对芯片的抗折强度进行评价时能够测量该芯片破坏时的曲率的方法和能够测量该曲率的装置。

根据本发明的一个方式，提供测量芯片的曲率的方法，在芯片的弯折试验中对芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，其特征在于，该测量芯片的曲率的方法具有如下的步骤：芯片保持步骤，将弯折前的状态的芯片的一端侧的第一区域保持在包含将上表面作为支承面的第一支承体在内的第一保持单元的该支承面上，并且将该芯片的另一端侧的第二区域保持在包含将上表面作为支承面的第二支承体在内的第二保持单元的该支承面上；第一移动步骤，在实施了该芯片保持步骤之后，使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使芯片的该第一区域与该第二区域之间的测量区域弯曲并且该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对；第二移动步骤，在实施了该第一移动步骤之后，在该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对的状态下使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测步骤，对在该第一移动步骤或该第二移动步骤的实施中芯片被破坏的情况进行检测；以及曲率检测步骤，对在该芯片破坏检测步骤中检测到芯片破坏时的该测量区域的曲率进行检测。