[发明专利]薄膜覆晶封装结构

权利要求书

1.一种薄膜覆晶封装结构，其特征在于，包括：

可挠性基材，具有芯片接合区；

多个引脚，设置于所述可挠性基材上，并自所述芯片接合区内向外延伸；

二个芯片，并列设置于所述可挠性基材的所述芯片接合区内，且分别电性连接所述多个引脚，其中所述二个芯片的每一具有主动表面、相对于所述主动表面的背表面以及连接所述主动表面与所述背表面的多个侧表面，所述多个侧表面包括连接所述主动表面的短边的短边侧表面，其中所述二个芯片以所述短边侧表面互相面对而并排设置；

缓冲件，设置于所述可挠性基材上，且位于所述二个芯片之间；以及

封装胶体，至少填充于所述二个芯片的每一与所述可挠性基材之间且覆盖所述二个芯片的每一的所述多个侧表面，且所述缓冲件通过所述封装胶体与所述二个芯片耦接。

2.如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其特征在于，所述封装胶体包括二个第一胶体及第二胶体，所述二个芯片的每一的所述主动表面与所述多个侧表面被对应的所述第一胶体所覆盖，且所述第二胶体耦接所述二个第一胶体与所述缓冲件。

3.如权利要求2所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述二个第一胶体的每一具有覆盖对应的所述芯片的所述短边侧表面的内侧部分，所述二个芯片所对应的所述二个内侧部分之间具有间隔区，所述缓冲件位于所述间隔区中。

4.如权利要求3所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述第二胶体包覆所述二个第一胶体及所述缓冲件的周围，并填充于所述间隔区内。

5.如权利要求4所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述第二胶体还覆盖所述二个芯片的所述二个背表面与所述缓冲件的顶面。

6.如权利要求3所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述二个芯片的每一的所述多个侧表面包括分别连接所述主动表面的二个长边的二个长边侧表面，所述二个第一胶体的每一具有覆盖所述二个长边侧表面的二个外侧部分，所述缓冲件具有分别邻近所述二个芯片的每一的所述二个长边侧表面的二个相对的第一侧面，所述第二胶体包覆所述二个第一胶体的所述多个外侧部分与所述缓冲件的所述二个第一侧面。

7.如权利要求3所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述缓冲件具有分别相邻于所述二个第一胶体的所述二个内侧部分的二个相对的第二侧面，所述第二胶体填充于所述间隔区内，且包覆所述二个内侧部分与所述二个第二侧面。

8.如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述二个芯片的每一的所述短边的长度不大于4毫米。

9.如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述二个芯片之间的距离不大于10毫米。

10.如权利要求1所述的薄膜覆晶封装结构，其中所述缓冲件为耐热材料。