[发明专利]集成电路以及静电放电保护电路有效
申请号: | 201810477845.8 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN110504251B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 黄绍璋;叶家荣;周业宁;廖显峰;吴易翰;廖志成;庄介尧;陈伟松;陈敬文;陈邦权 | 申请(专利权)人: | 世界先进积体电路股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王涛 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 以及 静电 放电 保护 电路 | ||
1.一种静电放电保护电路,耦接一接合垫与一核心电路,其特征在于,包括:
一静电放电检测电路,检测于该接合垫上是否发生一静电放电事件以产生一第一检测信号;
一放电电路,接收该第一检测信号,其中,当于该接合垫上发生该静电放电事件,该放电电路根据该第一检测信号提供介于该接合垫与一接地端之间的一放电路径;
一开关,耦接于该核心电路与该接地端之间,受控于该第一检测信号,其中,当该核心电路非处于一正常操作模式且于该接合垫上发生该静电放电事件,该开关根据该第一检测信号而关闭;
一第一P型晶体管,具有耦接该接合垫的第一端、耦接该核心电路的第二端以及控制端;以及
一控制电路,当该核心电路处于该正常操作模式时,用以产生一控制信号至该第一P型晶体管的控制端以控制该第一P型晶体管;
其中,当该核心电路非处于该正常操作模式时,该控制电路不产生该控制信号至该第一P型晶体管的控制端。
2.如权利要求1所述的静电放电保护电路,其特征在于,当该核心电路非处于该正常操作模式时,该第一P型晶体管的控制端浮接。
3.如权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,该开关包括:
一N型晶体管,具有耦接该核心电路的第一端、耦接该接地端的第二端以及接收该第一检测信号的控制端。
4.如权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,还包括:
一缓冲器,耦接于该静电放电检测电路与该开关之间,接收该第一检测信号且根据该第一检测信号而产生一缓冲信号至该开关;
其中,当于该接合垫上发生该静电放电事件,该开关根据该缓冲信号而关闭。
5.如权利要求4所述的静电放电保护电路,其特征在于,该缓冲器包括:
一第二P型晶体管,具有耦接该接合垫的第一端、耦接一第一节点的第二端以及接收该第一检测信号的控制端;
一第一N型晶体管,具有耦接该第一节点的第一端、耦接该接地端的第二端以及接收该第一检测信号的控制端;
一第三P型晶体管,具有耦接该接合垫的第一端、耦接一第二节点的第二端以及耦接第一节点的控制端;以及
一第二N型晶体管,具有耦接该第二节点的第一端、耦接该接地端的第二端以及耦接第一节点的控制端;
其中,该缓冲信号产生于该第二节点。
6.如权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,该放电电路产生与该第一检测信号互为反向的一第二检测信号,且该静电放电保护电路还包括:
一反向器,耦接于该放电电路与该开关之间,以接收该第二检测信号且根据该第二检测信号而产生一反向信号至该开关;
其中,当于该接合垫上发生该静电放电事件,该开关根据该反向信号而关闭。
7.如权利要求2所述的静电放电保护电路,其特征在于,还包括:
一反向器,耦接于该静电放电检测电路与该开关之间,以接收该第一检测信号且根据该第一检测信号而产生一反向信号至该开关;
其中,当于该接合垫上发生该静电放电事件,该开关根据该反向信号而关闭。
8.如权利要求7所述的静电放电保护电路,其特征在于,该静电放电检测电路包括:
一电容器,耦接于该接合垫与一第一节点之间;以及
一电阻器,耦接于该第一节点与该接地端之间;
其中,该第一检测信号产生于该第一节点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的