[发明专利]半导体制造装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201810472295.0 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108962784B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 小桥英晴 | 申请（专利权）人： | 捷进科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 半导体器件 方法 | ||
当用二值化或与良品的图像差分法这样的方法来进行半导体芯片(裸芯片)的表面上的异常检测时，不能够发现宽度小于一个像素的裂纹。半导体制造装置具备拍摄裸芯片的拍摄装置、配置在将所述裸芯片和所述拍摄装置连结的线上的照明装置以及控制所述拍摄装置及所述照明装置的控制装置。所述控制装置用所述照明装置照明所述裸芯片的一部分，在所述裸芯片上形成明部、暗部及明部与暗部之间的渐变部，并用所述拍摄装置拍摄所述裸芯片。
技术领域
本公开涉及半导体制造装置，例如能够应用于具备识别裸芯片(Die)的摄像机的芯片接合机(Die Bonder)。
背景技术
在首先切割圆板状的晶片来制造半导体芯片的情况下，因切割时的切削阻力等而有时在半导体芯片上产生从切断面向内部延伸的裂纹。单片化后的半导体芯片被检查裂纹的有无等并进行作为其产品的好坏判定(例如日本特开2008-98348号公报)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-98348号公报
专利文献2：日本特开2008-66452号公报
发明内容
发明要解决的课题
当用拍摄图像的二值化或与良品的图像差分法这样的方法来进行半导体芯片(裸芯片)的表面上的异常检测时，不能够发现宽度小于一个像素的裂纹。
本公开的课题在于提供能够提高裂纹的识别精度的技术。
其他课题及新的特征可以从本说明书的记述及附图得以明确。
用于解决课题的手段
如果简单地说明本公开中的代表性内容的概要，则如下。
即，半导体制造装置具备拍摄裸芯片的拍摄装置、配置在将所述裸芯片和所述拍摄装置连结的线上的照明装置以及控制所述拍摄装置及所述照明装置的控制装置。所述控制装置用所述照明装置照明所述裸芯片的一部分，在所述裸芯片上形成明部、暗部及明部与暗部之间的渐变部，并用所述拍摄装置拍摄所述裸芯片。
发明的效果
根据上述半导体制造装置，能够提高裂纹的识别精度。
附图说明
图1是示出芯片接合机的结构例的概略俯视图。
图2是说明在图1中从箭头A方向观察时的概略结构的图。
图3是示出图1的裸芯片供给部的结构的外观立体图。
图4是示出图2的裸芯片供给部的主要部分的概略剖视图。
图5是示出图1的芯片接合机的控制系统的概略结构的框图。
图6是说明图1的芯片接合机中的裸芯片接合(Bonding)工序的流程图。
图7是用于说明模仿动作的流程图。
图8是示出特征部分(选择区域)的例子的图。
图9是示出登记图像及类似图像的例子的图。
图10是用于说明连续加工动作的流程图。
图11是示出有裂纹的裸芯片的图像的图。
图12是示出将图11的图像二值化而得到的图像的图。
图13是示出良品的裸芯片的图像的图。
图14是示出图11的图像与图13的图像的差别的图。
图15是示出裂纹较粗的情况下的图像的图。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
