[发明专利]固态储存装置及其相关控制方法

说明书

一种固态储存装置及其相关控制方法，固态储存装置连接至一主机，包括：一控制电路连接至该主机，该控制电路包括一错误校正码电路与一预测模型储存电路，其中该预测模型储存电路中储存一预测模型；以及一非挥发性记忆体，包括一记忆胞阵列，且该记忆胞阵列中包括多个区块，且每一该区块皆有对应的一状态参数；其中，该控制电路由该记忆胞阵列中决定一选定数据区块，并根据该选定数据区块的状态参数以及该预测模型，判断是否对该选定数据区块进行一特定操作。

技术领域

本发明涉及一种固态储存装置及其相关控制方法，且特别涉及一种固态储存装置及运用预测模型(prediction model)来控制固态储存装置的方法。

背景技术

众所周知，固态储存装置(Solid State Storage Device，简称SSD)已经非常广泛的应用于各种电子产品，例如SD卡、固态硬碟等等。

一般来说，固态储存装置中包括一非挥发性记忆体(non-volatile memory)。当数据写入非挥发性记忆体后，一旦固态储存装置的电源被关闭，数据仍可保存在非挥发性记忆体中。

请参照图1，其所绘示为现有固态储存装置示意图。固态储存装置10包括：控制电路101以及非挥发性记忆体105。其中，非挥发性记忆体105中更包含记忆胞阵列(memorycell array)109。再者，记忆胞阵列109由多个记忆胞(memory cell)所组成。一般而言，记忆胞阵列被划分成多个区块(block)，每个区块再分成多页(page)。

固态储存装置10经由一外部总线12连接至主机(host)14，其中外部总线12可为USB总线、SATA总线、PCIe总线、M.2总线或者U.2总线等等。

再者，控制电路101经由一内部总线113连接至非挥发性记忆体105，用以根据主机14所发出的写入命令进一步将主机14的写入数据存入记忆胞阵列109，以及根据主机14所发出的读取命令由记忆胞阵列109中取得读取数据，经由控制电路101传递至主机14。

基本上，控制电路101中有一组预设读取电压组(default read voltage set)。于读取周期(read cycle)时，控制电路101经由内部总线113，传送操作指令到非挥发性记忆体105令其利用此预设读取电压组来读取非挥发性记忆体105中记忆胞阵列109之前所存入的数据。

再者，控制电路101中的错误校正码电路(简称ECC电路)104用来更正读取数据中的错误位元(error bits)，并且于更正完成后将正确的读取数据传递至主机14。另外，当ECC电路104无法成功地校正读取数据中所有的错误位元时，则无法输出正确的读取数据至主机14。此时，控制电路101另提供其他多组重试读取电压组(read retry voltage set)，使控制电路101采用重试读取电压组来对非挥发性记忆体105进行读取重试(read retry)。详细说明如下：

根据每个记忆胞所储存的数据量，可进一步区分为每个记忆胞储存一位元的单层记忆胞(Single-Level Cell，简称SLC记忆胞)、每个记忆胞储存二位元的多层记忆胞(Multi-Level Cell，简称MLC记忆胞)、每个记忆胞储存三位元的三层记忆胞(Triple-Level Cell，简称TLC记忆胞)以及每个记忆胞储存四位元的四层记忆胞(Quad-LevelCell，简称QLC记忆胞)。因此，记忆胞阵列109可为SLC记忆胞阵列、MLC记忆胞阵列、TLC记忆胞阵列或者QLC记忆胞阵列。