[发明专利]固态储存装置及其相关控制方法

权利要求书

1.一种固态储存装置，连接至一主机，其特征在于，包括：

一控制电路连接至该主机，该控制电路包括一错误校正码电路与一预测模型储存电路，其中该预测模型储存电路中储存一预测模型；以及

一非挥发性记忆体，包括一记忆胞阵列，且该记忆胞阵列中包括多个区块，且每一该区块皆有对应的一状态参数；

其中，该控制电路由该记忆胞阵列中决定一选定数据区块，并根据该选定数据区块的状态参数以及该预测模型，判断是否对该选定数据区块进行一特定操作；

其中，该预测模型包含一预测函数，并设定有一临限预测数值，该临限预测数值对应一预定目标值，其中将该选定数据区块对应的该状态参数输入该预测函数后可得出一实际预测数值，其中该控制电路比较该实际预测数值与该临限预测数值，并根据该比较结果判断是否对该选定数据区块进行该特定操作；

其中，该预测模型为一错误预测模型，该预测函数为一错误预测函数，该临限预测数值为一临限错误预测数值，该预定目标值为一预定读取重试率，该特定操作为一刷新操作；

其中，当该非挥发性记忆体的一实际读取重试率不符合该预定读取重试率时，该控制电路修正该错误预测函数中的一补偿值。

2.根据权利要求1所述的固态储存装置，其特征在于，当该非挥发性记忆体的一实际目标值不符合该预定目标值时，进行该预测模型的动态调整。

3.根据权利要求1所述的固态储存装置，其特征在于，根据该实际读取重试率、该预定读取重试率以及该临限错误预测数值决定该补偿值。

4.根据权利要求1所述的固态储存装置，其特征在于，当该实际错误预测数值大于该临限错误预测数值时，该控制电路刷新该选定数据区块中的数据。

5.根据权利要求1所述的固态储存装置，其特征在于，于该固态储存装置的一新出厂阶段，设定该预定读取重试率小于一第一数值；于该固态储存装置的一中期阶段，设定该预定读取重试率小于一第二数值；于该固态储存装置的一后期阶段，设定该预定读取重试率小于一第三数值；其中，该第一数值小于该第二数值，该第二数值小于该第三数值。

6.一种固态储存装置的控制方法，其特征在于，包括下列步骤：

在一非挥发性记忆体中决定一选定数据区块；

将该选定数据区块的状态参数输入一预测函数，以获得一实际预测数值，其中该预测函数对应于用来预测一预测指标的一预测模型，该预测指标设定有一目标值，且该目标值可根据该预测模型对应至一临限预测数值；以及

根据该实际预测数值以及该临限预测数值的关系决定是否执行一特定操作；

其中，该预测指标为一读取重试率，该预测函数为一错误预测函数，该临限预测数值为一临限错误预测数值，该实际预测数值为一实际错误预测数值，该预测模型为一错误预测模型，且该错误预测模型表示该错误预测函数与该读取重试率之间的关系，且该错误预测函数为该状态参数的函数。

7.根据权利要求6所述的固态储存装置的控制方法，其特征在于，当该实际错误预测数值大于该临限错误预测数值时，刷新该选定数据区块中的数据，以确保该非挥发性记忆体的读取重试率小于一预定读取重试率。

8.根据权利要求7所述的固态储存装置的控制方法，其特征在于，更包括下列步骤：

当该非挥发性记忆体的一实际读取重试率不符合该预定读取重试率时，修正该错误预测函数中的一补偿值。

9.根据权利要求8所述的固态储存装置的控制方法，其特征在于，根据该实际读取重试率、该预定读取重试率以及该临限错误预测数值决定该补偿值。

10.根据权利要求7所述的固态储存装置的控制方法，其特征在于，刷新该选定数据区块中的数据将该选定数据区块中的数据储存于一空白区块中。