[发明专利]非易失性存储装置、半导体装置以及电子设备

说明书

本发明提供非易失性存储装置、半导体装置以及电子设备。非易失性存储装置具有：第1参考单元；第2参考单元；生成与在第1参考单元中流过的电流成比例的第1镜像电流的电路；生成与在第2参考单元中流过的电流成比例的第2镜像电流的电路；读出放大器，其对在存储器单元中流过的电流与参考电流进行比较，读出数据；以及选择电路，其以在读出模式下至少根据第1镜像电流来生成参考电流、在校验模式下根据第2镜像电流来生成参考电流的方式，设定第1参考单元或第2参考单元的选择状态。

本申请要求2017年5月17日申请的日本申请2017-097935的优先权，其内容引入此处作为参考。

技术领域

本发明涉及闪存或EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory：电可擦除可编程只读存储器)等可电改写的非易失性存储装置。并且，本发明涉及使用了这样的非易失性存储装置的半导体装置以及电子设备等。

背景技术

近年来，闪存或EEPROM等可电改写的非易失性存储装置广泛普及。在这样的非易失性存储装置中，为了判定存储器单元是擦除状态、还是程序状态，根据在多个参考单元中流过的电流来生成参考电流，将在存储器单元中流过的电流与参考电流进行比较。

作为相关技术，在专利文献1中公开了能够增大从非易失性的存储器单元读出数据时的动作裕量的参考电流产生电路。该参考电流产生电路包含设定为擦除状态的第1参考单元和设定为程序状态的第2参考单元，产生将与在第1参考单元的选择状态下流过的第1电流对应的电流和与在第2参考单元的选择状态下流过的第2电流对应的电流相加后的电流，作为参考电流。

专利文献1：日本特开2012-146374号公报(0025-0026段、图1、图4)

一般而言，非易失性存储装置进行如下动作：在将数据读入存储器单元以后，确认(校验)是否正确地读出所读入的数据。在考虑温度和电源电压的变动时，优选在校验模式下，比通常的读出模式更严格地设定数据的判定基准。

在数据写入时，被设定为程序状态的存储器单元的晶体管的阈值电压变高，因此，为了在进行程序状态的存储器单元的校验时严格地设定判定基准，需要生成相对于施加到单元的驱动电位的变化缓慢地发生变化的参考电流。

但是，在专利文献1所公开的参考电流产生电路中，在程序状态的第2参考单元中流过的电流在高电压侧急剧上升时，参考电流也随之在高电压侧急剧上升(参照第0079段、图4)。在校验模式下使用这样的参考电流时，无法在进行程序状态的存储器单元的校验时严格地设定判定基准。

此外，在读出模式下同时读出的数据的位数较多的情况下，生成与在参考单元中流过的电流对应的电流的电流镜电路与多个读出放大器连接，并且，布线长度也变长，因此，电流镜电路的负载电容变大，在确定参考电流时需要时间。特别地，阈值电压较高的程序状态的参考单元的电流供给能力较低，因此，成为问题。

发明内容

因此，鉴于上述内容，本发明的第1目的在于，提供能够在进行阈值电压较高的程序状态的存储器单元的校验时严格地设定判定基准的非易失性存储装置。此外，本发明的第2目的在于，在这样的非易失性存储装置中，提高为了生成参考电流而使用的参考单元的电流供给能力，缩短读出模式下确定参考电流时所需的时间。并且，本发明的第3目的在于，提供使用了这样的非易失性存储装置的半导体装置以及电子设备等。