[发明专利]非易失性存储装置、半导体装置以及电子设备

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，其中，该非易失性存储装置具有：

第1参考单元，其处于擦除状态与程序状态之间的中间状态或程序状态；

擦除状态的第2参考单元；

第1电流镜电路，其在所述第1参考单元的选择状态下生成与在所述第1参考单元中流过的电流成比例的第1镜像电流；

第2电流镜电路，其在所述第2参考单元的选择状态下生成与在所述第2参考单元中流过的电流成比例的第2镜像电流；

读出放大器，其通过对在存储器单元中流过的电流与参考电流进行比较，读出所述存储器单元所存储的数据；以及

选择电路，其以在读出模式下至少根据所述第1镜像电流生成所述参考电流、在校验模式下根据所述第2镜像电流生成所述参考电流的方式，设定所述第1参考单元或所述第2参考单元的选择状态。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，

所述选择电路以在读出模式下生成所述第1镜像电流、在校验模式下不生成所述第1镜像电流的方式，设定所述第1参考单元与所述第1电流镜电路的连接状态或所述第1电流镜电路的连接状态。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储装置，其中，

在读出模式下，根据所述第1镜像电流和所述第2镜像电流生成所述参考电流。

4.根据权利要求1或2所述的非易失性存储装置，其中，

所述第1参考单元被设定为擦除状态与程序状态之间的中间状态。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，

所述选择电路以在校验模式下生成所述第2镜像电流、在读出模式下不生成所述第2镜像电流的方式，设定所述第2参考单元与所述第2电流镜电路的连接状态或所述第2电流镜电路的连接状态。

6.根据权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，该非易失性存储装置还具有：

电压检测电路，其在电源电压高于规定电压时激活检测信号；以及

选择控制电路，其在读出模式下，在所述检测信号被激活时，以根据所述第1镜像电流生成所述参考电流的方式控制所述选择电路，在所述检测信号未被激活时，以根据所述第1镜像电流和所述第2镜像电流生成所述参考电流的方式控制所述选择电路。

7.根据权利要求1或2所述的非易失性存储装置，其中，

所述第2电流镜电路构成为能够变更镜像比。

8.根据权利要求1或2所述的非易失性存储装置，其中，

该非易失性存储装置还具有第1晶体管，该第1晶体管与所述第1电流镜电路以及所述第2电流镜电路连接，在该第1晶体管中流过所述第1镜像电流和所述第2镜像电流中的任意一方、或者所述第1镜像电流及所述第2镜像电流，

所述读出放大器包含与所述第1晶体管一起构成第3电流镜电路的第2晶体管，所述第2晶体管生成与在所述第1晶体管中流过的电流成比例的所述参考电流。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，

所述第3电流镜电路根据所述第1镜像电流生成与在所述第1参考单元中流过的电流大致相同大小的电流，根据所述第2镜像电流生成在所述第2参考单元中流过的电流的β倍的电流，其中，0β1。

10.一种半导体装置，其具有权利要求1～9中的任意一项所述的非易失性存储装置。

11.一种电子设备，其具有权利要求1～9中的任意一项所述的非易失性存储装置。