[发明专利]一种光刻掩模板系统在审

专利信息
申请号: 201810462327.9 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN108873600A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: R·琼科赫瑞;C·惠耿巴尔特;E·加拉赫 申请(专利权)人: IMEC非营利协会;IMEC美国纳米电子设计中心
主分类号: G03F1/62 分类号: G03F1/62;G03F7/20
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 江磊;郭辉
地址: 比利*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要:
搜索关键词: 防尘薄膜 掩模板 光刻 可拆卸
【说明书】:

根据本发明概念的一个方面,提供一种光刻掩模板系统,其包括:掩模板,安装在掩模板前的第一防尘薄膜,以及安装在第一防尘薄膜前的第二防尘薄膜,其中,第一防尘薄膜设置在掩模板和第二防尘薄膜之间,并且其中,第二防尘薄膜相对于第一防尘薄膜和掩模板可拆卸地安装。

技术领域

本发明概念设计一种光刻掩模板(reticle)系统,一种光刻曝露工具、以及用于交换光刻曝露工具的防尘薄膜的方法。

背景

在半导体制造中,各种光刻工艺在限定制造和电路图案的过程中广泛使用。取决于待限定特征的不同尺寸,可采用不同的光学光刻方法。在一种光刻方法中,存在于光掩模或掩模板上的图案可以通过照射掩模板转移到光敏光刻胶上。光通过掩模板图案调节并成像到涂敷光刻胶的晶片上。

在常规光刻中,防尘薄膜(pellicle)通常放置在掩模板上以保护掩模板在处理和曝露等期间免受污染。防尘薄膜将因此保护掩模板避免不希望的颗粒以其它方式对图案转移到晶片的保真度产生负面影响。由于暴露期间防尘薄膜仍然覆盖掩模板,因此在吸收性、耐久性和颗粒屏蔽能力等方面上对防尘薄膜有严格的要求。

然而,由于在加工环节中的辐射和/或化学品,防尘薄膜的元件可能随时间降解。一些降解是可以接受的,但是最终需要从光刻曝露工具中去除掩模版和防尘薄膜以允许更换防尘薄膜。掩模板和防尘薄膜通常返回到可以进行防尘薄膜更换的掩模部门(maskshop)中。这可能会在制造过程中造成不希望的中断。此外,在更换防尘薄膜时,掩模板表面曝露于室内气氛和环境中存在的颗粒。

发明内容

本发明概念的目的是解决上述问题。可从下文中理解其它目的。

根据本发明概念第一方面,提供一种光刻掩模板系统,其包括:

掩模板,

安装在掩模板前的第一防尘薄膜,以及

安装在第一防尘薄膜前的第二防尘薄膜,

其中,第一防尘薄膜设置在掩模板和第二防尘薄膜之间,并且

其中,第二防尘薄膜相对于第一防尘薄膜和掩模板可拆卸地安装。

通过本发明的光刻掩模板系统,提供了双防尘薄膜,其中,相对于第一防尘薄膜和掩模板可拆卸地安装在其之前的第二防尘薄膜可以在需要时方便地进行更换。

“相对于第一防尘薄膜和掩模板可拆卸地安装”的第二防尘薄膜此处是指安装第二防尘薄膜以使得在第一防尘薄膜保持安装在掩模板前时允许移除第二防尘薄膜。第一防尘薄膜因此可以在更换第二防尘薄膜时遮蔽或保护掩模板。

由于第一防尘薄膜设置在掩模板和第二防尘薄膜之间,并且第一防尘薄膜可以通过第二防尘薄膜屏蔽加工环境。

上述优点可以避免或至少减少将掩模板返回到掩模部门用于防尘薄膜更换的需要。

此外,如下文进一步说明,第二防尘薄膜的可拆卸设置可实现第二防尘薄膜的原位更换,即在光刻工具内更换。

虽然防尘薄膜降解和更换在光刻领域很大程度上是一个问题。正如发明人所认识到的,其可能在极紫外线光刻EUVL中成为一个日益增加的问题,其中,短波长、高功率和潜在不利的加工条件(例如由于掩模版腔室环境中的氢气氛)可能加速防尘薄膜的降解。因此,本发明的光刻掩模板系统的优点可能因与EUVL有关而特别明显。

掩模板可以设置在掩模板载体上。“掩模板载体”此处是指设置为用作光刻曝露工具中掩模板载体的载体。掩模板载体可以构造为允许掩模板可拆卸地安装在掩模板载体上。

“掩模板”或同义的掩模或光掩模在此是指具有待转移至晶片或基材的图案的结构或元件。掩模板可以形成为反射掩模板。换言之,掩模板可以设置为反射入射辐射。所反射的辐射可以导向晶片。

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