[发明专利]感应功率传输系统和方法

权利要求书

1.一种操作IPT系统以检测外物存在的方法，所述方法包括：

确定由于IPT初级磁结构和IPT次级磁结构的相对位置引起的VAR电流；以及

测量IPT初级磁结构中的实际VAR电流以确定在IPT初级磁结构上或其附近是否有外物存在。

2.根据权利要求1所述的方法，包括测量系统的IPT初级磁结构和IPT次级磁结构的相对位置。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，测量相对位置包括测量IPT初级磁结构和IPT次级磁结构的电学特征以检测一个磁结构相对于另一磁结构的位置。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，测量相对位置包括通过短路电流的相位和幅值测量初级磁结构和次级磁结构的横向偏移。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，测量相对位置包括通过在IPT次级磁结构中感生的电压测量横向偏移。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括通过比较IPT初级磁结构和IPT次级磁结构中的电流的幅值来测量IPT初级磁结构和IPT次级磁结构之间的距离。

7.根据权利要求6所述的方法，包括向控制装置传送关于IPT初级磁结构和IPT次级磁结构之一或二者的信息。

8.用于IPT系统的外物检测设备，所述设备包括控制装置，所述控制装置适于确定由于IPT初级磁结构和IPT次级磁结构之间的相对位置引起的VAR电流，并测量IPT初级磁结构中的实际VAR电流以确定IPT初级磁结构上或其附近是否有外物存在。

9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述控制装置包括位置检测装置，所述位置检测装置用于检测IPT初级磁结构和IPT次级磁结构的相对位置。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述位置检测装置测量IPT初级磁结构和IPT次级磁结构的电学特征以检测一个磁结构相对于另一磁结构的位置。

11.根据权利要求10所述的设备，其中，所述位置检测装置通过短路电流的相位和幅值测量初级磁结构和次级磁结构的横向偏移。

12.根据权利要求10所述的设备，其中，所述位置检测装置通过在IPT次级磁结构中感生的电压测量横向偏移。

13.根据权利要求9所述的设备，其中，所述位置检测装置通过比较在IPT初级磁结构和IPT次级磁结构中的电流的幅值来测量IPT初级磁结构和IPT次级磁结构之间的距离。

14.根据权利要求8所述的设备，包括向所述控制装置传送关于IPT初级磁结构和IPT次级磁结构之一或二者的信息。