[发明专利]平衡静电力的方法和静电卡盘有效
| 申请号: | 201810455618.5 | 申请日: | 2018-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN110491819B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
| 发明(设计)人: | 师帅涛 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平衡 静电力 方法 静电 卡盘 | ||
本发明公开了一种平衡静电力的方法和静电卡盘。该方法包括:获取晶片与所述第一电极相对应位置处的第一压力信号,以及获取晶片与所述第二电极相对应位置处的第二压力信号;将所述第一压力信号转换为第一电信号,以及将所述第二压力信号转换为第二电信号;根据所述第一电信号和所述第二电信号,调整直流电源输出至所述第一电极和所述第二电极上的直流电压,以使两个电极产生的静电力相等。能够有效提高平衡静电力的平衡精度,有效保护晶片,提高晶片加工良率。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种平衡静电力的方法和一种静电卡盘。
背景技术
一般地,静电卡盘由于具有较高的晶片利用率、较少的颗粒以及均匀的边缘刻蚀和沉积速率等特点,被广泛应用于集成电路制造设备中以承载晶片,例如等离子刻蚀设备、物理气相沉积设备、化学气相沉积设备等。静电卡盘能够有效避免晶片在工艺过程中出现移动或错位,并为晶片提供射频偏压和控制晶片表面的温度。
相关技术中,静电卡盘包括卡盘本体、内嵌于卡盘本体内的两个电极以及与两个电极电连接的直流电源。利用直流电源可以向两个电极分别提供直流正电压和直流负电压,从而可以在晶片与电极之间产生静电力,进而可以将晶片吸附固定在静电卡盘上。
但是,当静电卡盘加载射频之后会在两个电极上产生一个负偏压,该负偏压会导致直流负电压所对应的电极处的静电力增大,直流正电压所对应的电极处的静电力减小,进而使整个晶片受力不均,严重的会导致静电卡盘的夹紧失败甚至碎片。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种平衡静电力的方法和一种静电卡盘。
为了实现上述目的,本发明的第一方面,提供了一种平衡静电力的方法,包括:
S110、获取晶片与第一电极相对应位置处的第一压力信号,以及获取所述晶片与第二电极相对应位置处的第二压力信号;
S120、将所述第一压力信号转换为第一电信号,以及将所述第二压力信号转换为第二电信号;
S130、根据所述第一电信号和所述第二电信号,调整直流电源输出至所述第一电极和所述第二电极上的直流电压,以使两个电极产生的静电力相等。
优选地,所述步骤S110中,利用压电元件分别获取所述第一压力信号和所述第二压力信号;
所述步骤S120中,利用所述压电元件分别将所述第一压力信号和所述第二压力信号转换为所述第一电信号和所述第二电信号。
优选地,所述步骤S120包括:
将所述第一压力信号和所述第二压力信号分别转换为第一中间电信号和第二中间电信号;
对所述第一中间电信号和所述第二中间电信号分别进行滤波和/或放大处理,以得到所述第一电信号和所述第二电信号。
优选地,所述步骤S130包括:
当所述第一电信号大于所述第二电信号时,直流电源减小当前所输出的第一电压,以减小所述第一电极上的直流电压,和/或,增大当前所输出的第二电压,以增大所述第二电极上的直流电压,直至所述第一电极和所述第二电极产生的静电力相等;
当所述第一电信号小于所述第二电信号时,所述直流电源增大当前所输出的第一电压,以增大所述第一电极上的直流电压,和/或,减小当前所输出的第二电压,以减小所述第二电极上的直流电压,直至所述第一电极和所述第二电极产生的静电力相等。
优选地,所述步骤S130具体包括:
设定预设电压输出改变量;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





