[发明专利]平衡静电力的方法和静电卡盘有效
| 申请号: | 201810455618.5 | 申请日: | 2018-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN110491819B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
| 发明(设计)人: | 师帅涛 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平衡 静电力 方法 静电 卡盘 | ||
1.一种平衡静电力的方法,其特征在于,包括:
S110、获取晶片与第一电极相对应位置处的第一压力信号,以及获取所述晶片与第二电极相对应位置处的第二压力信号;
S120、将所述第一压力信号转换为第一电信号,以及将所述第二压力信号转换为第二电信号;
S130、根据所述第一电信号和所述第二电信号,调整直流电源输出至所述第一电极和所述第二电极上的直流电压,以使两个电极产生的静电力相等。
2.根据权利要求1所述的平衡静电力的方法,其特征在于,
所述步骤S110中,利用压电元件分别获取所述第一压力信号和所述第二压力信号;
所述步骤S120中,利用所述压电元件分别将所述第一压力信号和所述第二压力信号转换为所述第一电信号和所述第二电信号。
3.根据权利要求1所述的平衡静电力的方法,其特征在于,所述步骤S120包括:
将所述第一压力信号和所述第二压力信号分别转换为第一中间电信号和第二中间电信号;
对所述第一中间电信号和所述第二中间电信号分别进行滤波和/或放大处理,以得到所述第一电信号和所述第二电信号。
4.根据权利要求2所述的平衡静电力的方法,其特征在于,所述步骤S130包括:
当所述第一电信号大于所述第二电信号时,直流电源减小当前所输出的第一电压,以减小所述第一电极上的直流电压,和/或,增大当前所输出的第二电压,以增大所述第二电极上的直流电压,直至所述第一电极和所述第二电极产生的静电力相等;
当所述第一电信号小于所述第二电信号时,所述直流电源增大当前所输出的第一电压,以增大所述第一电极上的直流电压,和/或,减小当前所输出的第二电压,以减小所述第二电极上的直流电压,直至所述第一电极和所述第二电极产生的静电力相等。
5.根据权利要求4所述的平衡静电力的方法,其特征在于,所述步骤S130具体包括:
设定预设电压输出改变量;
当所述第一电信号大于所述第二电信号时,所述直流电源每次将当前所输出的第一电压减小所述预设电压输出改变量,和/或,所述直流电源每次将当前所输出的第二电压增大所述预设电压输出改变量;
当所述第一电信号小于所述第二电信号时,所述直流电源每次将当前所输出的第一电压增大所述预设电压输出改变量,和/或,所述直流电源每次将当前所输出的第二电压减小所述预设电压输出改变量。
6.根据权利要求2所述的平衡静电力的方法,其特征在于,所述第一电信号和所述第二电信号均为电压信号,所述步骤S130具体包括:
根据所述第一电信号和所述第二电信号的电压,分别计算得到第一静电力和第二静电力,并基于所述第一静电力和所述第二静电力,得到实际电压改变量;
当所述第一静电力大于所述第二静电力时,所述直流电源将当前所输出的第一电压减小所述实际电压改变量,以及,所述直流电源将当前所输出的第二电压增大所述实际电压改变量;
当所述第一静电力小于所述第二静电力时,所述直流电源将当前所输出的第一电压增大所述实际电压改变量,以及,所述直流电源将当前所输出的第二电压减小所述实际电压改变量。
7.根据权利要求6所述的平衡静电力的方法,其特征在于,基于所述第一静电力和所述第二静电力,得到实际电压改变量的步骤包括:
将所述第一静电力和所述第二静电力作差处理,得到静电力差值;
对所述静电力差值作半处理,得到平均静电力差值;
基于所述平均静电力差值,计算得到所述实际电压改变量。
8.根据权利要求7所述的平衡静电力的方法,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极产生的静电力T计算公式如下:
δ=d×T; (1)
其中,δ为压电元件中的面电荷密度,d为压电元件的压电应变常数,E为静电力产生的电场强度,S为压电元件与晶片的接触面积,T为静电力,ε为压电元件的介电常数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





